[实用新型]一种DDR3微组件

说明书

本实用新型涉及一种DDR3微组件，包括塑封基板、绝缘胶、再布线后的DDR3芯片A、DDR3芯片B、金丝、塑封体以及焊球，所述的DDR3芯片A通过再布线设计将焊盘扇出至一端，DDR3芯片B通过再布线设计将焊盘扇出至另一端，所述的DDR3芯片A通过金丝以键合的方式与基板建立电气连接，并使用绝缘胶粘接在基板上。本实用新型所述的DDR3微组件，基于再布线技术改变原有DDR3裸芯的接线点位置以此适应所需要的封装结构，通过键合的方式以此为5片完成再布线后堆叠放置的DDR3芯片与塑封基板间建立物理连接，达到集成度高，以及增加元件可靠性、微小型化、低功耗。

技术领域

本实用新型涉及存储器技术领域，尤其是指一种DDR3微组件。

背景技术

在计算机系统中，存储器性能是整机性能的关键因素之一。随着微电子技术的快速发展，处理器的工作主频和总线带宽在成倍的提高，因此需要存储器提供很高的数据传输速率与存储容量来与此相适配。在处理器运算时所需要的数据都需要从存储器中获取，如果存储器无法及时给处理器提供数据，处理器将会处于等待状态，将造成硬件资源浪费，无法发挥出最大性能。

在传统的设计中，为了满足整机超大容量的需求，通常会设计多个DDR3存储器，通过在PCB板平铺DDR3存储器的方式与处理器间建立数据传输通道，这样的方式将带来大尺寸、低集成度、低可靠性等问题。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的一种DDR3微组件，包括塑封基板、绝缘胶、再布线后的 DDR3芯片A、DDR3芯片B、金丝、塑封体以及焊球，所述的DDR3芯片A通过再布线设计将焊盘扇出至一端，DDR3芯片B通过再布线设计将焊盘扇出至另一端，所述的DDR3芯片A通过金丝以键合的方式与基板建立电气连接，并使用绝缘胶粘接在基板上。

在本实用新型的一个实施例中，所述设计的DDR3微组件体积仅为12.5mm*14mm*2.08mm。

在本实用新型的一个实施例中，所述的DDR3芯片B以堆叠的方式通过绝缘胶粘接A上，再通过金丝以键合的方式与基板建立电气连接。

在本实用新型的一个实施例中，所述的DDR3微组件内总共放置3片DDR3芯片A、2片DDR3 芯片B，且最后，在其表面注塑形成塑封体，完成DDR3微组件背面的焊球。

本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：本实用新型所述的DDR3微组件，基于再布线技术改变原有DDR3裸芯的接线点位置以此适应所需要的封装结构，通过键合的方式以此为5 片完成再布线后堆叠放置的DDR3芯片与塑封基板间建立物理连接，达到集成度高，以及增加元件可靠性、微小型化、低功耗。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚的理解，下面根据本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明。

图1是本实用新型所述的DDR3微组件的原理框图；

图2是本实用新型DDR3微组件的结构示意图；

图3是本实用新型所述的DDR3微组件堆叠工序的示意流程结构图，其中的(a)、第一道工序(b)、第二道工序，(c)、第三道工序，(d)、第四道工序，(e)、第五道工序。

如图所示，1、塑封基板，2、绝缘胶，3、DDR3芯片A，4、DDR3芯片B，5、金丝，6、塑封体，7、焊球，8、A1脚标记。

具体实施方式

如图2所示，本实施例提供一种DDR3微组件，包括塑封基板1、绝缘胶2、再布线后的DDR3芯片A 3、DDR3芯片B 4、金丝5、塑封体6以及焊球7，所述的DDR3芯片A 3通过再布线设计将焊盘扇出至一端，DDR3芯片B4通过再布线设计将焊盘扇出至另一端，所述的DDR3芯片A3通过金丝5以键合的方式与基板1建立电气连接，并使用绝缘胶2粘接在基板1上。