[实用新型]一种硅片酸制绒绒面残留物清洗装置

说明书

本实用新型公开了一种硅片酸制绒绒面残留物清洗装置，包括清洗机台，清洗机台包括预清洗槽和循环清洗槽，清洗机台上设有用于带动硅片进行清洗的托架，预清洗槽和循环清洗槽内部设有用于带动托架上硅片清洗的下料机构，下料机构包括用于对托架上的硅片进行固定的固定扣，清洗机台上设有用于带动托架在预清洗槽和循环清洗槽上方传送的传送机构，传动机构包括延伸块，延伸块与清洗机台可拆卸连接，托架内设有用于对硅片残留物进行收集的收集组件，预清洗槽和循环清洗槽能够对硅片进行双重清洗，旨在对硅片进行智能化双重清洗，提高制绒清洗的清洗效率，降低硅片在多次清洗上下料时破损的概率，优化操作人员的工作效率。

技术领域

本实用新型涉及硅片领域，具体是一种硅片酸制绒绒面残留物清洗装置。

背景技术

制绒是处理太阳能级硅片的一种工艺方法，硅太阳能电池片生产的一道工序，按硅原料分类状况可分为单晶制绒与多晶制绒；按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒，单晶硅片和多晶硅片皆可以用酸或者碱来处理。用碱处理是为了得到金字塔状绒面；用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不同绒面都可以提高硅片的陷光作用。

硅片损伤层刻蚀采用切片工艺将硅锭切成硅片，将在硅片表面造成切割损伤并残留杂质，硅片损伤层和残留的杂质将不利于电池性能的提升。因此，在进行电池制造工艺之前很有必要对硅片表面进处理，以消除损伤层和残留的杂质。一般悬液线切割需要在硅片两个表面各刻蚀10μm，而金刚石线切割需要各刻蚀5μm。实现刻蚀目的的常用工艺是碱液刻蚀，最常用的刻蚀液是NaOH、KOH或TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液

酸制绒是对多晶硅硅片表面进行粗糙化处理，以降低光的反射作用。多晶硅由不同晶向的晶粒组成，不适合使用碱溶液进行各向异性刻蚀。这是因为不同的方向刻蚀速度不同，导致硅厚度非均匀变化。

酸制绒过程是各向同性的，意味着所有晶面或方向的刻蚀速度相同。硅片表面经过腐蚀减少光反射的功能依赖于硅片表面的缺陷，缺陷在刻蚀时将优先刻蚀，而缺陷主要来自于切片工艺。

目前，对硅片进行绒面清洗需要对绒面进行重复清洗，但重复清洗的步骤较多，对硅片清洗的效率比较慢，本申请能够对硅片进行智能化双重清洗，提高制绒清洗的清洗效率，降低硅片在多次清洗上下料时破损的概率，优化操作人员的工作效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种硅片酸制绒绒面残留物清洗装置，以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种硅片酸制绒绒面残留物清洗装置，装置包括清洗机台，清洗机台包括预清洗槽和循环清洗槽，清洗机台上设有用于带动硅片进行清洗的托架，预清洗槽和循环清洗槽内部设有用于带动托架上硅片清洗的下料机构，下料机构包括用于对托架上的硅片进行固定的固定扣，清洗机台上设有用于带动托架在预清洗槽和循环清洗槽上方传送的传送机构，传动机构包括延伸块，延伸块与清洗机台可拆卸连接，托架内设有用于对硅片残留物进行收集的收集组件。

通过采用上述技术方案：预清洗槽和循环清洗槽能够对硅片进行双重清洗，托架能够带动硅片在预清洗槽和循环清洗槽内部进行清洗，下料机构能够带动托架上的硅片进行下料清洗，传送机构能够带动硅片在预清洗槽和循环清洗槽上方进行传送，收集组件能够对硅片的杂质进行收集。

进一步设置：传送机构包括导轨，导轨设置在延伸块上，导轨的数量为两个，托架靠近导轨的两侧设有槽口，槽口包括横向槽和纵向槽，横向槽内部设有用于使托架进行滑动的滑移伸缩杆，纵向槽内部设有用于推动滑移伸缩杆进行伸缩的驱动气缸，导轨内部靠近滑移伸缩杆的位置设有用于推动滑移伸缩杆在导轨内部进行滑移的传送气缸。

通过采用上述技术方案：驱动气缸能够使得滑移伸缩杆进行伸缩，将滑移伸缩杆卡设在导轨内部，传送气缸能够带动滑移伸缩杆进行滑动，从而带动托架上的硅片进行移动。