[实用新型]一种ESD保护电路与电子设备

权利要求书

1.一种ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括泄放管与驱动组件，所述泄放管的第一端与第二端分别与P型GaN增强型功率器件的栅极和源极电连接，所述驱动组件分别与所述泄放管的控制端、所述P型GaN增强型功率器件的栅极和源极电连接；其中，

当所述P型GaN增强型功率器件出现正向ESD事件时，所述驱动组件的第一路径导通；

当所述P型GaN增强型功率器件出现反向ESD事件时，所述驱动组件的第二路径导通；

当所述第一路径或所述第二路径导通时，所述泄放管导通，以对ESD能量进行泄放。

2.如权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一路径包括正向分压模块，所述第二路径包括反向分压模块，所述正向分压模块与所述反向分压模块的两端分别连接P型GaN增强型功率器件的栅极和源极，所述泄放管的控制端与所述正向分压模块、所述反向分压模块电连接；其中，

当所述P型GaN增强型功率器件出现正向ESD事件时，所述反向分压模块不导通，所述正向分压模块驱动所述泄放管导通；

当所述P型GaN增强型功率器件出现反向ESD事件时，所述正向分压模块不导通，所述反向分压模块驱动所述泄放管导通。

3.如权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于，所述正向分压模块包括第一上桥臂单元与第一下桥臂单元，所述第一上桥臂单元与所述第一下桥臂单元相连，所述反向分压模块包括第二上桥臂单元与第二下桥臂单元，所述第二上桥臂单元与所述第二下桥臂单元相连；其中，

所述第一上桥臂单元与所述第二上桥臂单元分别与所述P型GaN增强型功率器件的栅极、所述泄放管的控制端电连接；

所述第一下桥臂单元与所述第二下桥臂单元分别与所述P型GaN增强型功率器件的源极、所述泄放管的控制端电连接。

4.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一上桥臂单元包括第一钳位二极管串，所述第一下桥臂单元包括第一电阻与第一二极管，所述第二上桥臂单元包括第二二极管与第二电阻，所述第二下桥臂单元包括第二钳位二极管串；

所述第一钳位二极管串的阳极与所述P型GaN增强型功率器件的栅极电连接，所述第一钳位二极管串的阴极与所述泄放管的控制端、所述第一电阻的一端电连接；

所述第一电阻的另一端与所述第一二极管的阳极电连接，所述第一二极管的阴极与所述P型GaN增强型功率器件的源极电连接；

所述第二二极管的阴极与所述P型GaN增强型功率器件的栅极电连接，所述第二二极管的阳极与所述第二电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述泄放管的控制端、第二钳位二极管串的阴极电连接；

所述第二钳位二极管串的阳极与所述P型GaN增强型功率器件的源极电连接。

5.如权利要求4所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一钳位二极管串中二极管的数量小于所述第二钳位二极管串中二极管的数量。

6.如权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于，所述第一上桥臂单元包括第一电容与第三二极管，所述第一下桥臂单元包括第一电阻与第四二极管，所述第二上桥臂单元包括第五二极管与第二电阻，所述第二下桥臂单元包括第二电容与第六二极管；

所述第一电容的一端与所述P型GaN增强型功率器件的栅极电连接，所述第一电容的另一端与所述第三二极管的阳极电连接，所述第三二极管的阴极分别与所述泄放管的控制端、所述第一电阻的一端电连接；

所述第一电阻的另一端与所述第四二极管的阳极电连接，所述第四二极管的阴极与所述P型GaN增强型功率器件的源极电连接；

所述第五二极管的阴极与所述P型GaN增强型功率器件的栅极电连接，所述第五二极管的阳极与所述第二电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端与所述泄放管的控制端、所述第二电容的一端电连接；

所述第二电容的另一端与所述第六二极管的阴极电连接，所述第六二极管的阳极与所述P型GaN增强型功率器件的源极电连接。