[实用新型]一种ESD保护电路与电子设备

说明书

本申请提供了一种ESD保护电路与电子设备，涉及ESD保护技术领域。该ESD保护电路包括泄放管与驱动组件，泄放管的第一端与第二端分别与P型GaN增强型功率器件的栅极和源极电连接，驱动组件分别与泄放管的控制端、P型GaN增强型功率器件的栅极和源极电连接；其中，当P型GaN增强型功率器件出现正向ESD事件时，驱动组件的第一路径导通，当P型GaN增强型功率器件出现反向ESD事件时，驱动组件的第二路径导通；当第一路径或第二路径导通时，泄放管导通，以对ESD能量进行泄放。本申请提供的ESD保护电路与电子设备具有减小了ESD保护电路占用芯片的面积的优点。

技术领域

本申请涉及ESD保护技术领域，具体而言，涉及一种ESD保护电路与电子设备。

背景技术

由于P型GaN栅极结构的GaN增强型功率器件具有栅极电容小的特点，且其栅极的最大耐受电压低，导致其器件自身对静电放电(electro-static discharge，ESD)事件的抵御能力较差。因此，在使用P型GaN增强型功率器件时，一般需要增加ESD保护电路。

现有的ESD保护电路一般设置了两条独立的泄放电流路径，导致ESD保护电路占用的芯片面积较大。

综上，现有技术中存在ESD保护电路占用芯片面积大的问题。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种ESD保护电路与电子设备，以解决现有技术中存在的ESD保护电路占用芯片面积大的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种ESD保护电路，所述ESD保护电路包括泄放管与驱动组件，所述泄放管的第一端与第二端分别与P型GaN增强型功率器件的栅极和源极电连接，所述驱动组件分别与所述泄放管的控制端、所述P型GaN增强型功率器件的栅极和源极电连接；其中，

当所述P型GaN增强型功率器件出现正向ESD事件时，所述驱动组件的第一路径导通；

当所述P型GaN增强型功率器件出现反向ESD事件时，所述驱动组件的第二路径导通；

当所述第一路径或所述第二路径导通时，所述泄放管导通，以对ESD能量进行泄放。

可选地，所述第一路径包括正向分压模块，所述第二路径包括反向分压模块，所述正向分压模块与所述反向分压模块的两端分别连接P型GaN增强型功率器件的栅极和源极，所述泄放管的控制端与所述正向分压模块、所述反向分压模块电连接；其中，

当所述P型GaN增强型功率器件出现正向ESD事件时，所述反向分压模块不导通，所述正向分压模块驱动所述泄放管导通；

当所述P型GaN增强型功率器件出现反向ESD事件时，所述正向分压模块不导通，所述反向分压模块驱动所述泄放管导通。

可选地，所述正向分压模块包括第一上桥臂单元与第一下桥臂单元，所述第一上桥臂单元与所述第一下桥臂单元相连，所述反向分压模块包括第二上桥臂单元与第二下桥臂单元，所述第二上桥臂单元与所述第二下桥臂单元相连；其中，

所述第一上桥臂单元与所述第二上桥臂单元分别与所述P型GaN增强型功率器件的栅极、所述泄放管的控制端电连接；

所述第一下桥臂单元与所述第二下桥臂单元分别与所述P型GaN增强型功率器件的源极、所述泄放管的控制端电连接。

可选地，所述第一上桥臂单元包括第一钳位二极管串，所述第一下桥臂单元包括第一电阻与第一二极管，所述第二上桥臂单元包括第二二极管与第二电阻，所述第二下桥臂单元包括第二钳位二极管串；

所述第一钳位二极管串的阳极与所述P型GaN增强型功率器件的栅极电连接，所述第一钳位二极管串的阴极与所述泄放管的控制端、所述第一电阻的一端电连接；