[实用新型]一种硅片及太阳能电池片有效
申请号: | 202221046052.9 | 申请日: | 2022-04-28 |
公开(公告)号: | CN217387172U | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 张超;李凯;侯林均;杨东 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/068 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王丽莎 |
地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 太阳能电池 | ||
1.一种硅片,所述硅片的背面具有用于进行激光开槽的开槽区域和不进行激光开槽的多个镂空区域,每个所述镂空区域中具有用于设置背电极的背电极区域,且所述硅片还包括用于设置栅线且环绕所述背电极区域设置的环形区域,其特征在于,每个镂空区域包括依次延伸的第一段、中间段和第二段,所述第一段和所述第二段的宽度均比所述中间段的宽度短,所述中间段的宽度大于所述背电极区域的宽度,所述第一段和所述第二段的边缘分别和所述环形区域的内侧边重合,或相较于所述内侧边向外延伸使所述环形区域的两端至少10%宽度的部分在所述镂空区域外。
2.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述第一段和所述第二段的边缘相较于所述环形区域的内侧边向外延伸0~0.4mm。
3.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述中间段的宽度比所述背电极区域的宽度大0.2~2mm。
4.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述环形区域为矩形,所述镂空区域为十字形。
5.根据权利要求4所述的硅片,其特征在于,所述背电极区域包括背电极主体区域,所述背电极主体区域的两侧包括多个沿主栅延伸方向间隔排列的凸起,所述中间段的边缘到所述凸起的距离为0.1~1mm。
6.根据权利要求4所述的硅片,其特征在于,位于所述硅片中部的所述镂空区域的面积比位于所述硅片边缘的所述镂空区域的面积小。
7.根据权利要求1所述的硅片,其特征在于,所述环形区域包括中间的矩形以及两端的半圆形,所述中间段至少部分为矩形,所述第一段和所述第二段至少部分为扇形。
8.根据权利要求7所述的硅片,其特征在于,所述背电极区域包括背电极主体区域和设置于所述背电极主体区域两端的背电极端部区域,所述背电极主体区域的两侧包括多个沿主栅延伸方向间隔排列的凸起,所述中间段包括第一中间段、第二中间段和第三中间段,所述第二中间段和所述背电极主体区域对应,所述第一中间段和所述第三中间段分别与两个所述背电极端部区域对应,所述第二中间段的边缘到所述凸起的距离为0.1~1mm,所述第一中间段的边缘、所述第三中间段的边缘到所述背电极端部区域的距离分别为0.1~1mm。
9.根据权利要求8所述的硅片,其特征在于,所述第二中间段的边缘为直线段,所述第一中间段的边缘和所述第三中间段的边缘为曲线段。
10.一种太阳能电池片,其特征在于,所述太阳能电池片包括权利要求1~9任一项所述的硅片,所述开槽区域设置有主栅和副栅,所述环形区域设置有主栅,所述背电极区域设置有背电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的