[实用新型]一种硅片及太阳能电池片有效
申请号: | 202221046052.9 | 申请日: | 2022-04-28 |
公开(公告)号: | CN217387172U | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 张超;李凯;侯林均;杨东 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/068 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王丽莎 |
地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 太阳能电池 | ||
本申请提供一种硅片及太阳能电池片,涉及光伏技术领域。硅片的背面具有用于进行激光开槽的开槽区域和不进行激光开槽的多个镂空区域,每个镂空区域中具有用于设置背电极的背电极区域,硅片还包括环形区域,每个镂空区域包括依次延伸的第一段、中间段和第二段,第一段和第二段的宽度均比中间段的宽度短,中间段的宽度大于背电极区域的宽度,第一段和第二段的边缘分别和环形区域的内侧边重合,或相较于内侧边向外延伸使环形区域部分在镂空区域外。本申请的硅片通过重新设计镂空区域,使得设置栅线的环形区域的至少部分位于镂空区域外,从而能够对此部分进行激光开槽,击穿此区域钝化层,引出光生电流,提升电流与填充银子,提升了转换效率。
技术领域
本申请涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种硅片及太阳能电池片。
背景技术
光伏太阳能硅片是太阳能发电系统中的核心部分。光伏太阳能硅片的作用是将太阳能转化为电能,电能被送往蓄电池中存储起来,或直接用于推动负载工作。光伏太阳能硅片的转换效率直接决定整个太阳能发电系统的光电转换效率。
光伏太阳能硅片已从BSL工艺路线升级为PERC路线,其中最关键的环节为背面钝化层的生长和开槽激光。采用钝化层进行钝化,背面钝化层更好的降低硅片的背表面复合速率,使得硅片的少子寿命达到最大化。目前钝化工艺制备的钝化层无法导电,因此需要激光在钝化层上开槽以引出电流,实现硅片和背面铝浆的接触。
为提高太阳能硅片机械载荷,现有激光开槽图案均在背电极处做镂空处理。为避免背面银浆和激光开槽图形接触,产生机械载荷风险,镂空区域会比背电极区域边缘外扩0.1~0.8mm。目前通用的镂空区域图形为贯穿或非贯穿的矩形。对于非矩形背电极图案,采用矩形镂空,会导致角部未开槽,无法顺利收集此区域光生电流,影响太阳能硅片转换效率。
实用新型内容
本申请实施例的目的在于提供一种硅片及太阳能电池片,其能够改善矩形镂空的角部的电流无法收集的技术问题。
第一方面,本申请实施例提供一种硅片,其背面具有用于进行激光开槽的开槽区域和不进行激光开槽的多个镂空区域,每个镂空区域中具有用于设置背电极的背电极区域,且硅片还包括用于设置栅线且环绕背电极区域设置的环形区域,每个镂空区域包括依次延伸的第一段、中间段和第二段,第一段和第二段的宽度均比中间段的宽度短,中间段的宽度大于背电极区域的宽度,第一段和第二段的边缘分别和环形区域的内侧边重合,或相较于内侧边向外延伸使环形区域的两端至少10%宽度的部分在镂空区域外。
在上述实现过程中,本申请的硅片通过重新设计镂空区域,使得设置栅线的环形区域的至少部分位于镂空区域外,从而能够对此部分进行激光开槽,击穿此区域钝化层,引出光生电流,提升电流与填充银子,提升了转换效率。同时精准贴合背电极的设计,使激光图形湿重与背电极保持一定距离,未影响到太阳能硅片可靠性。
在一种可能的实施方案中,第一段和第二段的边缘相较于环形区域的内侧边向外延伸0~0.4mm。
在上述实现过程中,环形区域的宽度大于0.4mm,当第一段和第二段的边缘相较于环形区域的内侧边向外延伸0~0.4mm时,还有部分环形区域位于镂空区域外侧,能够进行激光开槽,击穿此区域钝化层,引出光生电流。
在一种可能的实施方案中,中间段的宽度比背电极区域的宽度大0.2~2mm。
在上述实现过程中,中间段的宽度比背电极区域的宽度大0.2~2mm,能够使激光图形湿重与背电极保持一定距离,不会影响到太阳能硅片可靠性。
在一种可能的实施方案中,环形区域为矩形,镂空区域为十字形。
在上述实现过程中,对于环形区域为矩形的硅片,镂空区域为十字形,有利于提高激光开槽的面积,提升转换效率。
在一种可能的实施方案中,背电极区域包括背电极主体区域,背电极主体区域的两侧包括多个沿主栅延伸方向间隔排列的凸起,中间段的边缘到凸起的距离为0.1~1mm。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的