[实用新型]惯性传感器

权利要求书

1.一种惯性传感器，其特征在于，包括MEMS装置和盖体，所述MEMS装置包括MEMS结构和第一键合面，所述盖体包括第二键合面，所述第一键合面包括第一介质部和第一金属部，所述第二键合面包括第二介质部和第二金属部，且所述第一介质部围绕所述第一金属部的侧壁设置，所述第二介质部围绕所述第二金属部的侧壁设置，所述第一介质部和所述第二介质部的材料为氧化硅或硅，所述第一介质部和所述第二介质部中的至少一个的材料为氧化硅；所述第一介质部与所述第二介质部键合，所述第一金属部与所述第二金属部键合。

2.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部和所述第二金属部的材料均为铜。

3.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一键合面和所述第二键合面的粗糙度均小于0.5nm。

4.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一键合面中的所述第一金属部的高度低于所述第一介质部的高度，所述第二键合面中的所述第二金属部的高度低于所述第二介质部的高度。

5.根据权利要求4所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部与所述第一介质部的高度差为0A～200A，所述第二金属部与所述第二介质部的高度差为0A～200A。

6.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部和所述第二金属部的表面分别设置有第三金属部，且所述第三金属部的熔点低于所述第一金属部和所述第二金属部中任意一种的熔点。

7.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一键合面设置有若干所述第一金属部，且若干所述第一金属部以阵列的方式设置于所述第一键合面；所述第二键合面设置有若干所述第二金属部，且若干所述第二金属部以阵列的方式设置于所述第二键合面。

8.根据权利要求1所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一键合面设置有至少N圈环形结构的所述第一金属部，所述第二键合面设置有至少N圈环形结构的所述第二金属部，且所述N为大于等于1的正整数。

9.根据权利要求8所述的惯性传感器，其特征在于，当所述N为大于等于2的正整数时，至少N圈的所述第一金属部为同心环结构，至少N圈的所述第二金属部为同心环结构。

10.根据权利要求7或8所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部的面积大于所述第二金属部的面积，或所述第二金属部的面积大于所述第一金属部的面积。

11.根据权利要求10所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部的面积与所述第二金属部的面积的比为2:1～4:1，或所述第一金属部的面积与所述第二金属部的面积的比为1:2～1:4。

12.根据权利要求7所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部于所述第一键合面的最大宽度为1μm～10μm，所述第二金属部于所述第二键合面的最大宽度为1μm～10μm。

13.根据权利要求8所述的惯性传感器，其特征在于，所述环形结构的所述第一金属部于所述第一键合面上的环的宽度为1μm～10μm，所述环形结构的所述第二金属部于所述第二键合面上的环的宽度为1μm～10μm。

14.根据权利要求7或8所述的惯性传感器，其特征在于，相邻所述第一金属部之间的间距为5μm～20μm，相邻所述第二金属部之间的间距为5μm～20μm。

15.根据权利要求7所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部和所述第二金属部为圆形结构、椭圆形结构和多边形结构中的至少一种，所述多边形结构包括长方形结构和正方形结构。

16.根据权利要求8所述的惯性传感器，其特征在于，所述第一金属部和所述第二金属部为圆形环结构、椭圆形环结构和多边形环结构中的至少一种，所述多边形环结构包括长方形环结构和正方形环结构。