[实用新型]一种多级真空管路系统有效
| 申请号： | 202221135135.5 | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN217405373U | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 谷德鑫 | 申请（专利权）人： | 沈阳超夷微电子设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳天之冠专利代理事务所(普通合伙) 21258 | 代理人： | 赵千慧 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市浑*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多级 真空 管路 系统 | ||
1.一种多级真空管路系统，包括真空泵（1），其特征在于；所述真空泵（1）管路连接一级真空罐（2），所述真空泵（1）与所述一级真空罐（2）之间设有第一通断阀（3），所述一级真空罐（2）管路连接氮气充入装置（4），所述一级真空罐（2）与所述氮气充入装置（4）之间设有第二通断阀（5），所述一级真空罐（2）管路连接排废装置（6），所述一级真空罐（2）与所述排废装置（6）之间设有第三通断阀（7），所述一级真空罐（2）管路连接二级真空罐（8），所述一级真空罐（2）与所述二级真空罐（8）之间设有第四通断阀（9），所述一级真空罐（2）管路连接间歇真空单元（10），所述一级真空罐（2）与所述间歇真空单元（10）之间设有第六通断阀（11），所述二级真空罐（8）管路连接持续真空单元（12），所述二级真空罐（8）与所述持续真空单元（12）之间设有第五通断阀（13）。
2.根据权利要求1所述的一种多级真空管路系统，其特征在于；所述一级真空罐（2）与所述二级真空罐（8）上分别设有压力表（14）。
3.根据权利要求1所述的一种多级真空管路系统，其特征在于；所述一级真空罐（2）内部设有液位传感器（15）。
4.根据权利要求1所述的一种多级真空管路系统，其特征在于；所述一级真空罐（2）与所述氮气充入装置（4）之间设有节流阀（16）。
5.根据权利要求2所述的一种多级真空管路系统，其特征在于；所述压力表（14）电路连接报警装置（17）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
