[实用新型]一种多级真空管路系统有效
申请号: | 202221135135.5 | 申请日: | 2022-05-12 |
公开(公告)号: | CN217405373U | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 谷德鑫 | 申请(专利权)人: | 沈阳超夷微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳天之冠专利代理事务所(普通合伙) 21258 | 代理人: | 赵千慧 |
地址: | 110000 辽宁省沈阳市浑*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多级 真空 管路 系统 | ||
本实用新型公开了:一种多级真空管路系统,包括真空泵,所述真空泵管路连接一级真空罐,所述真空泵与所述一级真空罐之间设有第一通断阀,所述一级真空罐管路连接氮气充入装置,所述一级真空罐与所述排废装置之间设有第三通断阀,所述一级真空罐与所述二级真空罐之间设有第四通断阀,所述一级真空罐管路连接间歇真空单元,所述一级真空罐与所述间歇真空单元之间设有第六通断阀,所述二级真空罐管路连接持续真空单元,所述二级真空罐与所述持续真空单元之间设有第五通断阀,本实用新型可以在只使用一只真空泵的情况下完成不同单元在各种复杂条件下对真空的需求,一种多级真空管路系统具有成本低,功能全,应用场景广泛等优点。
技术领域
本实用新型应用于半导体行业晶片湿法处理技术领域,具体为一种多级真空管路系统。
背景技术
目前,半导体湿法处理设备内部一般都设有多个工艺单元,用于晶片加工的不同需要,有些单元或元件需要持续的厂务真空供给,有些单元需要在真空和大气直接交替供给,传统的方式是对不同单元分别提供厂务真空,增加了机台的真空泵的使用量和成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种多级真空管路系统,本旨在现有由于统的方式是对不同单元分别提供厂务真空,增加了机台的真空泵的使用量和成本。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种多级真空管路系统,包括真空泵,所述真空泵管路连接一级真空罐,所述真空泵与所述一级真空罐之间设有第一通断阀,所述一级真空罐管路连接氮气充入装置,所述一级真空罐与所述氮气充入装置之间设有第二通断阀,所述一级真空罐管路连接排废装置,所述一级真空罐与所述排废装置之间设有第三通断阀,所述一级真空罐管路连接二级真空罐,所述一级真空罐与所述二级真空罐之间设有第四通断阀,所述一级真空罐管路连接间歇真空单元,所述一级真空罐与所述间歇真空单元之间设有第六通断阀,所述二级真空罐管路连接持续真空单元,所述二级真空罐与所述持续真空单元之间设有第五通断阀。
优选的,所述一级真空罐与所述二级真空罐上分别设有压力表。
优选的,所述一级真空罐内部设有液位传感器。
优选的,所述一级真空罐与所述氮气充入装置之间设有节流阀。
优选的,所述压力表电路连接报警装置。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型可以在只使用一只真空泵的情况下完成不同单元在各种复杂条件下对真空的需求,一种多级真空管路系统具有成本低,功能全,应用场景广泛等优点。
附图说明
为了更清楚的说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一种多级真空管路系统主视图。
附图标记
其中;1、真空泵;2、一级真空罐;3、第一通断阀;4、氮气充入装置;5、第二通断阀;6、排废装置;7、第三通断阀;8、二级真空罐;9、第四通断阀;10、间歇真空单元;11、第六通断阀;12、持续真空单元;13、第五通断阀;14、压力表;15、液位传感器;16、节流阀;17、报警装置。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点,下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型,但是,本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施,因此,本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造