[实用新型]一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置有效
申请号: | 202221137774.5 | 申请日: | 2022-05-12 |
公开(公告)号: | CN217324293U | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 张坤锋;张粉红;陈永超 | 申请(专利权)人: | 化合积电(厦门)半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/54;C23C16/27;C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 厦门原创专利事务所(普通合伙) 35101 | 代理人: | 黄巧香 |
地址: | 361000 福建省厦门市集*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
本实用新型涉及一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置,包括反应腔,反应腔的下端面设置有出料口;闭合盖,上下移动安装在反应腔的出料口下方;分隔机构,包含若干按等角度环绕设置在定位件四周的隔离件、隔离件向外分别固接到反应腔的内侧壁,向内分别通过相应的衔接件连通定位件;基底座,安装在所述闭合盖的上部并套装于定位件内部;若干基片台,分别设置在相应的隔离件内、并通过相应的连杆固定安装在基底座的上端部;若干密封机构,闭合盖上升关闭所述反应腔时,通过密封机构分隔隔离件和定位件。本实用新型为结构紧凑的多腔室沉积,便于统一操作,降低生产成本,提高生产效率。
技术领域
本实用新型涉及化学气相沉积技术领域,具体是指一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置。
背景技术
一般的化学气相沉积系统,其采用的金刚石沉积组件基本上都为单一腔室,即整个沉积系统只设置一个沉积室,这种单一腔室的金刚石沉积组件对于小的炉体来说应用起来比较方便,但是对于应用于大规模的工业化生产上,采用单一腔室的金刚石沉积组件生产成本比较高,且操作起来不方便,造成生产效率低下。
因此,设计一款可降低生产成本,提高生产效率,便捷操作的多个腔室微波等离子体化学气相沉积装置是本实用新型的研究目的。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题,本实用新型在于提供一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置,该多腔微波等离子体化学气相沉积装置能够有效解决上述现有技术存在的问题。
本实用新型的技术方案是:
一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置,包括
反应腔,所述反应腔的下端面设置有连通所述反应腔内部的出料口;
闭合盖,上下移动安装在所述反应腔的出料口下方,用于密封关闭所述反应腔;
分隔机构,包含若干按等角度环绕设置在定位件四周的隔离件、所述隔离件向外分别固接到所述反应腔的内侧壁,向内分别通过相应的衔接件连接所述定位件;所述反应腔在位于所述隔离件的顶部设置有相应的介质窗口,且位于所述隔离件侧壁分别设置有相应的进气口和观察窗,所述进气口分别连通至相应的所述隔离件内部,并设置有相应的启闭阀门;
基底座,安装在所述闭合盖的上部,所述闭合盖上移至密封关闭所述出料口时,所述基底座套装于所述定位件内部;
若干基片台,分别设置在相应的所述隔离件内、并通过相应的连杆固定安装在所述基底座的上端部;
若干密封机构,分别设置在所述基底座位于连杆的下方,所述闭合盖上升关闭所述反应腔时,通过密封机构分隔所述隔离件和所述定位件;
若干微波发生器,分别对应设置在各个所述介质窗口的正上方。
所述密封机构包含固接在所述基底座四周并置于所述连杆下方的凸块,所述凸块衔接于所述连杆的下端面;所述凸块是纵向剖切为上窄下宽的等腰梯形结构,所述凸块的两侧壁均安装有相应的第一密封层,所述衔接件的两侧壁均设置有所述凸块相适配的倾斜面。
所述隔离件和定位件均为圆筒状结构,所述凸块的外端部设置为与所述隔离件相适配的弧形面。
所述闭合盖的上表面设置有与所述分隔机构的隔离件和定位件相配合的卡接槽,所述卡接槽的表面设置有第二密封层,所述闭合盖上升关闭所述反应腔时,所述隔离件和定位件分别嵌入相应的卡接槽。
所述气相沉积装置还包括为所述基片台降温的冷却机构,冷却机构包含设置在所述连杆内的冷却水腔室和水冷轴,所述水冷轴的一端连通在所述冷却水腔室内部并置于所述基片台下方,所述水冷轴的另一端延伸于所述基底座内、并分别与所述基底座内的冷却水管路连通,所述冷却水管路与外界的冷却水构成循环水路。
所述气相沉积装置还包括连接于所述闭合盖的第一升降机构,所述第一升降机构驱动所述闭合盖上下移动。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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