[实用新型]一种太阳能电池片及电池组件

权利要求书

1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：硅基体、减反膜和封装玻璃，所述减反膜设置在硅基体与封装玻璃之间；

所述减反膜包括：由所述硅基体的表面向所述封装玻璃方向依次设置的第一氮化硅膜层、氮氧化硅膜层以及增透膜层；

其中，所述氮氧化硅膜层包括至少两层氮氧化硅层，且所述至少两层氮氧化硅层的折射率由所述硅基体向所述封装玻璃方向依次递减；

所述增透膜层的折射率与所述封装玻璃的折射率的差值在预设范围内。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述预设范围为0.05～0.10。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述增透膜层为第二氮化硅膜层。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述增透膜层为二氧化硅膜层。

5.根据权利要求1～4任一项所述的太阳能电池片，其特征在于，所述增透膜层的厚度为5～10nm。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述氮氧化硅膜层的厚度为35～40nm，折射率为1.5～1.8。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述氮氧化硅膜层包括：由所述硅基体向所述封装玻璃方向依次设置的下层氮氧化硅层、中层氮氧化硅层和上层氮氧化硅层；

其中，所述上层氮氧化硅层的折射率小于所述中层氮氧化硅层的折射率；所述中层氮氧化硅层的折射率小于所述下层氮氧化硅层的折射率。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池片，其特征在于，

所述上层氮氧化硅层的厚度为10～15nm，折射率为1.5～1.6；

所述中层氮氧化硅层的厚度为10～15nm，折射率为1.6～1.7；

所述下层氮氧化硅层的厚度为10～15nm，折射率为1.7～1.8。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第一氮化硅膜层的厚度为35～45nm，折射率为2.25～2.3。

10.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：边框，以及权利要求1～9任一项所述的太阳能电池片。