[实用新型]一种太阳能电池片及电池组件

说明书

本实用新型提供一种太阳能电池片及电池组件，包括：硅基体、减反膜和封装玻璃，减反膜设置在硅基体与封装玻璃之间，减反膜包括由硅基体的表面向封装玻璃方向依次设置的第一氮化硅膜层、氮氧化硅膜层以及增透膜层；其中，氮氧化硅膜层包括至少两层氮氧化硅层，且至少两层氮氧化硅层的折射率由硅基体向封装玻璃方向依次递减；增透膜层的折射率与封装玻璃的折射率的差值在预设范围内。通过在硅基体的表面依次沉积形成第一氮化硅膜层、氮氧化硅膜层以及增透膜层，增透膜层的折射率与封装玻璃折射率相接近，可以减少封装玻璃与增透膜层之间的界面反射光损失，有助于降低太阳能电池片的封装损耗，从而能够提高太阳能电池片的转换效率。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池片及电池组件。

背景技术

太阳能作为新型能源，对太阳能的高效利用有助于缓解能源和环境的压力，太阳能电池片是一种利用光电效应将太阳能转换为电能的装置，目前已得到广泛应用，随着太阳能电池技术的发展，太阳能电池片的转换效率越受关注。

在太阳能电池片生产过程中会在太阳能电池片的表面形成减反膜，以提高太阳能电池的转换效率。相关技术中，减反膜是由氮化硅膜层或者氮化硅和氧化硅组合膜层组成。

然而，采用现有技术中的减反膜制备得到的太阳能电池片，在封装形成太阳能电池组件后，组件的封装损耗较大，降低了太阳能电池的转换效率。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种太阳能电池片，至少解决采用现有技术的电池片封装后，封装损耗较大，降低了太阳能电池转换效率的问题。

第一方面，本实用新型实施例提供一种太阳能电池片，包括：硅基体、减反膜和封装玻璃，所述减反膜设置在硅基体与封装玻璃之间；

所述减反膜包括：由所述硅基体的表面向所述封装玻璃方向依次设置的第一氮化硅膜层、氮氧化硅膜层以及增透膜层；

其中，所述氮氧化硅膜层包括至少两层氮氧化硅层，且所述至少两层氮氧化硅层的折射率由所述硅基体向所述封装玻璃方向依次递减；

所述增透膜层的折射率与所述封装玻璃的折射率的差值在预设范围内。

可选地，所述预设范围为0.05～0.10。

可选地，所述增透膜层为第二氮化硅膜层。

可选地，所述增透膜层为二氧化硅膜层。

可选地，所述增透膜层的厚度为5～10nm。

可选地，所述氮氧化硅膜层的厚度为35～40nm，折射率为1.5～1.8。

可选地，所述至少两层氮氧化硅膜层包括：由所述硅基体向所述封装玻璃方向依次设置的下层氮氧化硅层、中层氮氧化硅层和上层氮氧化硅层；

其中，所述上层氮氧化硅层的折射率小于所述中层氮氧化硅层的折射率；所述中层氮氧化硅层的折射率小于所述下层氮氧化硅层的折射率。

可选地，所述上层氮氧化硅层的厚度为10～15nm，折射率为1.5～1.6；

所述中层氮氧化硅层的厚度为10～15nm，折射率为1.6～1.7；

所述下层氮氧化硅层的厚度为10～15nm，折射率为1.7～1.8。

可选地，所述第一氮化硅膜层的厚度为35～45nm，折射率为2.25～2.3。

第二方面，本实用新型实施例提供一种太阳能电池组件，包括：边框，以及如上任一项所述的太阳能电池片。

针对在先技术，本实用新型具备如下优点：