[实用新型]串联式二极管封装组件

权利要求书

1.一种串联式二极管封装组件，其特征在于，包含：

多个承载框架，各该承载框架具有芯片设置部或跨接部，或具有芯片设置部及弯折于该芯片设置部的跨接部；

多个二极管芯片，各该二极管芯片设于各该芯片设置部上；以及

多个跨接框架，各该跨接框架跨接于两个相邻的承载框架之间，各该跨接框架的两端分别连接于各该二极管芯片及各该跨接部，以形成串联结构。

2.根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，所述承载框架包括入口框架、出口框架及排列于该入口框架于该出口框架之间的至少一个中间框架。

3.根据权利要求2所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，该入口框架仅具有该芯片设置部，该出口框架仅具有该跨接部，该至少一个中间框架具有该芯片设置部及弯折于该芯片设置部的该跨接部。

4.根据权利要求3所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，该至少一个中间框架呈L形且彼此互补地排列于该入口框架与该出口框架之间。

5.根据权利要求4所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，彼此互补地排列的所述承载框架具有至少一个转折处。

6.根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，还包含封装体，该封装体覆盖所述承载框架、所述二极管芯片及所述跨接框架以形成封装结构。

7.根据权利要求6所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，各该承载框架设有突出于该封装体的引脚。

8.根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，所述跨接框架彼此平行设置。

9.根据权利要求1所述的串联式二极管封装组件，其特征在于，该二极管芯片包含以硅(Si)为基底的萧特基二极管、碳化硅(SiC)萧特基二极管、氮化镓(GaN)二极管、砷化镓(GaAs)二极管、快恢复型二极管或一般PN接面二极管。