[实用新型]一种硅平面温度补偿二极管的结构有效
| 申请号： | 202221208525.0 | 申请日： | 2022-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN217522000U | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 贺晓金;袁强;陆超;姚秋原;张浩宇;王海锐;余文兴;王博 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L29/861;H01L21/329;H01L21/48 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 张祥军 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 温度 补偿 二极管 结构 | ||
1.一种硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于，包括：
N+衬底(31)；
银凸点结构，两个银凸点结构分别对应位于N+衬底(31)上下两端。
2.如权利要求1所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：所述银凸点结构厚度为40-50um。
3.如权利要求1所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：还包括P+ring区(32)，两个P+ring区(32)分别对应分布位于N+衬底(31)顶部两侧内。
4.如权利要求3所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：还包括正面Pbase区(33)，正面Pbase区(33)位于N+衬底1顶部上方内，正面Pbase区(33)位于两个P+ring区(32)中部的N+衬底(31)内。
5.如权利要求4所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：还包括阳极金属种子层(37)，阳极金属种子层(37)位于正面Pbase区(33)上方。
6.如权利要求5所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：还包括背面Pbase区(34)，背面Pbase区(34)位于N+衬底(31)底部内。
7.如权利要求6所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：还包括阴极金属种子层(38)，阴极金属种子层(38)位于背面Pbase区(34)下方。
8.如权利要求7所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：还包括正面钝化层(35)，正面钝化层(35)位于N+衬底(31)顶部。
9.如权利要求8所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：还包括背面钝化层(36)，背面钝化层(36)位于N+衬底(31)背面底部。
10.如权利要求9所述的硅平面温度补偿二极管的结构，其特征在于：还包括阳极银凸点(39)、阴极银凸点(310)，阳极银凸点(39)位于阳极金属种子层(37)上方，阳极银凸点(39)在阳极金属种子层(37)上方构成银凸点结构；
阴极银凸点(310)位于阴极金属种子层(38)下方，阴极银凸点(310)在位于阴极金属种子层(38)下方构成银凸点结构。
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