[实用新型]一种硅平面温度补偿二极管的结构

说明书

本实用新型公开了一种硅平面温度补偿二极管的结构，包括：N+衬底；银凸点结构，两个银凸点结构分别对应位于N+衬底上下两端。硅平面温度补偿二极管的结构的N+衬底正面、背面存在银凸点结构，当硅平面温度补偿二极管的结构进行玻璃壳体封装时，阳极银凸点和阴极银凸点位于相反平面上能分别经电极引线进行封装从两端引出，使得硅平面温度补偿二极管的结构适应轴向玻璃壳体封装外形，解决了硅平面温度补偿二极管的结构正负极均为同一平面上不能满足封装要求的问题。

技术领域

本实用新型涉及一种硅平面温度补偿二极管的结构，属于半导体器件技术领域。

背景技术

现有技术中的硅平面温度补偿二极管的结构，如图1，其主要结构包括：轻掺杂N型漂移区12；位于所述轻掺杂N型漂移区12表面的重掺杂P型区13；位于所述重掺杂P型区13表面的阳极金属层15；位于轻掺杂N型偏移区12表面的钝化层14，位于所述轻掺杂N型漂移区12 下表面的重掺杂N型衬底层11；位于所述重掺杂N型衬底层表面的阴极金属层16。

上述硅平面温度补偿二极管的结构特点是正负极均为同一平面上(如中国专利公开号为CN211930611U的一种可控硅驱动电路及可控硅芯片，存在相同情况)，主要采用超声键合方式引出正负极，采用一反向PN结和一正向PN结串结，利用反向PN结的正温度系数与正向PN结的负温度系数实现补偿，以达到减小稳压管温度系数的目的；但是，有时实现对硅平面温度补偿二极管的结构3进行玻璃壳体4封装是需要的正负极位于上下表面，此时的正负极不能同一平面上，外形如图2所述，而后通过采用冶金键合方式引出器件电极引线5的正负极，存在硅平面温度补偿二极管的结构正负极均为同一平面上不能满足封装要求的问题。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种硅平面温度补偿二极管的结构。

本实用新型提供了一种硅平面温度补偿二极管的结构的制备方法。

本实用新型通过以下技术方案得以实现。

本实用新型提供的一种硅平面温度补偿二极管的结构的结构，包括：

N+衬底；

银凸点结构，两个银凸点结构分别对应位于N+衬底上下两端。

所述银凸点结构厚度为40-50um。

还包括P+ring区，两个P+ring区分别对应分布位于N+衬底顶部两侧内。

还包括正面Pbase区，正面Pbase区位于N+衬底1顶部上方内，正面Pbase区位于两个P+ring区中部的N+衬底内。

还包括阳极金属种子层，阳极金属种子层位于正面Pbase区上方。

还包括背面Pbase区，背面Pbase区位于N+衬底底部内。

还包括阴极金属种子层，阴极金属种子层位于背面Pbase区下方。

还包括正面钝化层，正面钝化层位于N+衬底顶部。

还包括背面钝化层，背面钝化层位于N+衬底背面底部.

还包括阳极银凸点、阴极银凸点，阳极银凸点位于阳极金属种子层上方，阳极银凸点在阳极金属种子层上方构成银凸点结构；

阴极银凸点位于阴极金属种子层下方，阴极银凸点在位于阴极金属种子层下方构成银凸点结构。

本实用新型的有益效果在于：硅平面温度补偿二极管的结构的 N+衬底正面、背面存在银凸点结构，当硅平面温度补偿二极管的结构进行玻璃壳体封装时，阳极银凸点和阴极银凸点位于相反平面上能分别经电极引线进行封装从两端引出，使得硅平面温度补偿二极管的结构适应轴向玻璃壳体封装外形，解决了硅平面温度补偿二极管的结构正负极均为同一平面上不能满足封装要求的问题。

附图说明