[实用新型]存储电容器有效
| 申请号： | 202221295975.8 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN217361631U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 黄子伦 | 申请（专利权）人： | 苏州聚谦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区星*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 电容器 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储电容器，其特征在于，在剖面结构上，包括半导体衬底、所述半导体衬底中设有若干沟槽；所述沟槽中从下至上依次填充有绝缘层、介质层和导电层；
在平面结构上，所述导电层的导电图案均呈三叉状，且所述三叉状内部也为导电层。
2.根据权利要求1所述的存储电容器，其特征在于，所述导电层的导电图案中预留校准区域。
3.根据权利要求1所述的存储电容器，其特征在于，所述沟槽中从下至上依次填充有绝缘层、介质层和导电层，包括：
位于所述绝缘层上的第一介质层；位于所述第一介质层上的第一导电层；位于所述第一导电层上的第二介质层；位于所述第二介质层上的第二导电层；
还包括：第三导电层，所述第三导电层通过通孔与第一导电层和第二导电层连接。
4.根据权利要求1至3任一项所述的存储电容器，其特征在于，还包括：
所述绝缘层的材料为介电常数大于3.9的材料中的至少一种。
5.根据权利要求1至3任一项所述的存储电容器，其特征在于，所述绝缘层的材料包括二氧化锆、氧化铝、氮化硅、二氧化铪、三氧化二钇、二氧化硅、五氧化二钽、氧化镧、二氧化钛中的至少一种。
6.根据权利要求1至3任一项所述的存储电容器，其特征在于，所述导电层的材料为铜、铝或钨。
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