[实用新型]存储电容器

说明书

本实用新型提供了一种存储电容器，在剖面结构上，所述存储电容器包括半导体衬底、所述半导体衬底中设有若干沟槽；所述沟槽中从下至上依次填充有绝缘层、介质层和导电层；在平面结构上，所述导电层的导电图案均呈三叉状，且所述三叉状内部利用侧壁刻蚀方法，形成一个中空而也成为导电层。该结构用以充分利用芯片面积，提升存储电容器的容量。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储电容器。

背景技术

存储电容器的单位存储单元一般包括一个存储电容及一个MOS晶体管。存储电容器存储密度的增加需要单位面积上集成更多的存储单元以及单位存储单元存储更多的信息。随着半导体技术集成度和芯片性能要求的提高，芯片面积不断缩小，为了实现单位面积上集成更多的存储单元，所需要的光刻步骤随之增加，对光刻工艺的要求也越来越高，相应增加了工艺复杂度，提高了生产成本。

因此，有必要提供一种新型的存储电容器，以充分利用芯片面积。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储电容器，用以充分利用芯片面积，提升存储电容器的容量。

为实现上述目的，本实用新型的一种存储电容器，在剖面结构上，所述存储电容器包括半导体衬底、所述半导体衬底中设有若干沟槽；所述沟槽中从下至上依次填充有绝缘层、介质层和导电层；在平面结构上，所述导电层的导电图案均呈三叉状，且所述三叉状内部也为导电层。该结构用以充分利用芯片面积，提升存储电容器的容量。

本实用新型提供的存储电容器的有益效果在于：因导电层的导电图案均呈三叉状，且所述三叉状内部也为导电层，所以该结构可以充分利用芯片面积，相比现有的图案而言，该存储电容器的存储电容器的容量大，在保证存储电容器性能的前提下，提升存储电容器的容量。

在一种可能的实施方式中，所述导电层的导电图案中预留校准区域。

所述沟槽中从下至上依次填充有绝缘层、介质层和导电层，包括：

在一种可能的实施方式中，位于所述绝缘层上的第一介质层；位于所述第一介质层上的第一导电层；位于所述第一导电层上的第二介质层；位于所述第二介质层上的第二导电层；还包括：第三导电层，所述第三导电层通过通孔与第一导电层和第二导电层连接。

在一种可能的实施方式中，所述绝缘层的材料为介电常数大于3.9的材料中的至少一种。

在一种可能的实施方式中，所述绝缘层的材料包括二氧化锆、氧化铝、氮化硅、二氧化铪、三氧化二钇、二氧化硅、五氧化二钽、氧化镧、二氧化钛中的至少一种。

在一种可能的实施方式中，所述导电层的材料为铜、铝或钨。

本实用新型提供的存储电容器有助于增大电容的表面积，提升存储电容器的容量，在保证存储电容器性能的前提下，降低对光刻机光刻精度的要求，从而降低了工艺复杂度和生产成本。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种存储电容器剖面结构示意图；

图2为本实用新型一些实施例的存储电容器剖面结构和平面结构的对应关系示意图；

图3为本实用新型提供的现有的平面结构和本案的平面结构对比示意图；

图4为本实用新型又一些实施例的平面结构的校准标记示意图；

图5为本实用新型提供的一种存储电容器的制造方法的流程图；

图6为本实用新型一些实施例的中间结构的示意图；

图7为本实用新型又一些实施例的中间结构的示意图；

图8A至图8K为本实用新型又一些实施例中的中间结构的示意图。

图中标号：