[实用新型]一种耐高温晶圆芯片保护膜

权利要求书

1.一种耐高温晶圆芯片保护膜，其特征在于，包括PVC基材膜层、聚酯高粘接力胶层、抗静电胶层、耐温胶层和离型膜层，所述PVC基材膜层的下表面设置有所述聚酯高粘接力胶层，所述聚酯高粘接力胶层的下表面设置有所述抗静电胶层，所述抗静电胶层的下表面设置有所述耐温胶层，所述耐温胶层的下表面设置有所述离型膜层。

2.根据权利要求1所述的耐高温晶圆芯片保护膜，其特征在于，所述离型膜层的宽度或长度大于所述PVC基材膜层，所述离型膜层相对的两边凸出于所述PVC基材膜层并朝外延伸设置，所述离型膜层另外的两边与所述PVC基材膜层相平齐。

3.根据权利要求2所述的耐高温晶圆芯片保护膜，其特征在于，所述离型膜层的上表面设有压纹，所述离型膜层凸出于所述PVC基材膜层的一侧边设有易撕条，所述易撕条的一端与所述离型膜层相连接，所述易撕条的另一端可朝向下方弯折。

4.根据权利要求1所述的耐高温晶圆芯片保护膜，其特征在于，所述PVC基材膜层的厚度为50～85μm。

5.根据权利要求1所述的耐高温晶圆芯片保护膜，其特征在于，所述聚酯高粘接力胶层的厚度为1～3μm。

6.根据权利要求1所述的耐高温晶圆芯片保护膜，其特征在于，所述抗静电胶层的厚度为3～8μm。

7.根据权利要求1所述的耐高温晶圆芯片保护膜，其特征在于，所述耐温胶层的厚度为8～12μm。

8.根据权利要求1所述的耐高温晶圆芯片保护膜，其特征在于，所述离型膜层的厚度为50～75μm。