[实用新型]一种耐高温晶圆芯片保护膜

说明书

本实用新型涉及晶圆芯片保护膜技术领域，尤其涉及一种耐高温晶圆芯片保护膜。一种耐高温晶圆芯片保护膜，包括PVC基材膜层、聚酯高粘接力胶层、抗静电胶层、耐温胶层和离型膜层，所述PVC基材膜层的下表面设置有所述聚酯高粘接力胶层，所述聚酯高粘接力胶层的下表面设置有所述抗静电胶层，所述抗静电胶层的下表面设置有所述耐温胶层，所述耐温胶层的下表面设置有所述离型膜层。所述耐高温晶圆芯片保护膜，对PVC基材膜层的粘接强度高，剥离后不残胶，能够广泛地使用在晶圆芯片上，解决了现有晶圆芯片保护膜中胶层对PVC粘接强度低、剥离后易残胶的问题。

技术领域

本实用新型涉及晶圆芯片保护膜技术领域，尤其涉及一种耐高温晶圆芯片保护膜。

背景技术

晶圆芯片保护膜应用于半导体行业中，其需求量每年都在增长，目前，晶圆芯片保护膜在使用时需要将离型膜撕走，然后将胶膜覆盖粘贴在晶圆的表面，晶圆芯片保护膜在使用PVC膜作为基材膜时，由于目前的胶膜结构对PVC基材的粘接强度较低，使得保护膜在需要剥离时不易剥离，且剥离后容易残胶，晶圆表面残胶后对严重影响了晶圆芯片的使用。

实用新型内容

针对背景技术提出的问题，本实用新型的目的在于提出一种耐高温晶圆芯片保护膜，对PVC基材膜层的粘接强度高，剥离后不残胶，能够广泛地使用在晶圆芯片上，解决了现有晶圆芯片保护膜中胶层对PVC粘接强度低、剥离后易残胶的问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种耐高温晶圆芯片保护膜，包括PVC基材膜层、聚酯高粘接力胶层、抗静电胶层、耐温胶层和离型膜层，所述PVC基材膜层的下表面设置有所述聚酯高粘接力胶层，所述聚酯高粘接力胶层的下表面设置有所述抗静电胶层，所述抗静电胶层的下表面设置有所述耐温胶层，所述耐温胶层的下表面设置有所述离型膜层。

更进一步说明，所述离型膜层的宽度或长度大于所述PVC基材膜层，所述离型膜层相对的两边凸出于所述PVC基材膜层并朝外延伸设置，所述离型膜层另外的两边与所述PVC基材膜层相平齐。

更进一步说明，所述离型膜层的上表面设有压纹，所述离型膜层凸出于所述PVC基材膜层的一侧边设有易撕条，所述易撕条的一端与所述离型膜层相连接，所述易撕条的另一端可朝向下方弯折。

更进一步说明，所述PVC基材膜层的厚度为50～85μm。

更进一步说明，所述聚酯高粘接力胶层的厚度为1～3μm。

更进一步说明，所述抗静电胶层的厚度为3～8μm。

更进一步说明，所述耐温胶层的厚度为8～12μm。

更进一步说明，所述离型膜层的厚度为50～75μm。

与现有技术相比，本实用新型的实施例具有以下有益效果：

1、通过使用PVC膜作为基材膜层，PVC膜具有质感柔软、粘贴方便的优点，能够方便保护膜的粘贴，通过设置聚酯高粘接力胶层，能够提高抗静电胶层和耐温胶层与PVC基材膜层的粘接力，使得保护膜具有抗静电和耐温效果的同时，抗静电胶层和耐温胶层对PVC基材膜层的粘接强度高，粘贴强度＞80gf/25mm，使得剥离后不残胶，此保护膜能够广泛地使用在晶圆芯片上，解决了现有晶圆芯片保护膜中胶层对PVC粘接强度低、剥离后易残胶的问题；

2、通过将离型膜层相对的两边凸出于PVC基材膜层朝外延伸设置，剥离离型膜层时，可以通过离型膜层凸出于PVC基材膜层的部位进行离型膜层的剥离，使得离型膜层方便剥离；