[实用新型]一种低温多晶硅显示面板

权利要求书

1.一种低温多晶硅显示面板，包括衬底及设置于所述衬底上的多晶硅TFT器件，所述多晶硅TFT器件包括漏电极，其特征在于，还包括设置于所述多晶硅TFT器件上的像素电极层、设置于所述像素电极层上的钝化层及设置于所述钝化层上的公共电极层；所述像素电极层与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，还包括设置于所述多晶硅TFT器件和像素电极层之间的平坦层，所述平坦层上开设有与所述多晶硅TFT器件的漏电极相对应的第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，还包括设置于所述像素电极层和钝化层之间的平坦层。

4.根据权利要求1-3中任一所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述多晶硅TFT器件包括多晶硅层、设置于所述多晶硅层上的层间绝缘层、设置于所述层间绝缘层上的栅电极层、设置于所述栅电极层上的栅绝缘层及设置于所述栅绝缘层上的源漏电极层，其中，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，所述层间绝缘层和栅绝缘层开设有与所述源电极和漏电极分别对应的两个第二过孔，所述源电极和漏电极通过对应的第二过孔与所述多晶硅层相连接。

5.根据权利要求4所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述多晶硅层包括沟道区、第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，所述源电极和漏电极与所述多晶硅层的第二轻掺杂区相连接。

6.根据权利要求4所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述层间绝缘层、栅绝缘层和钝化层为氮氧化合物。

7.根据权利要求4所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述栅电极层和源漏电极层为金属。

8.根据权利要求1-3中任一所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，还包括设置于所述衬底和多晶硅TFT器件之间的遮光层和缓冲层。

9.根据权利要求8所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述缓冲层为二氧化硅或氮氧化硅。

10.根据权利要求1所述的低温多晶硅显示面板，其特征在于，所述衬底为玻璃基板。