[实用新型]一种低温多晶硅显示面板

说明书

本实用新型公开了一种低温多晶硅显示面板，包括衬底及设置于所述衬底上的多晶硅TFT器件，所述多晶硅TFT器件包括漏电极，还包括设置于所述多晶硅TFT器件上的像素电极层、设置于所述像素电极层上的钝化层及设置于所述钝化层上的公共电极层；所述像素电极层与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。该低温多晶硅显示面板可降低制作时所需的光罩掩模板的数量。

技术领域

本实用新型涉及显示技术，尤其涉及一种低温多晶硅显示面板。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；简称LTPS)显示面板在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的有源层上，非晶硅结构的有源层在吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构。

低温多晶硅具有高迁移率，及制作的晶体管尺寸比非晶硅小等优势，而得到了非常广泛的应用。但是，常见的低温多晶硅显示面板，膜层数量较多，制程所需的光罩掩模板的数量也多，不仅增加了企业的研发成本，同时也增加工厂的投入生产时间，所以，减少低温多晶硅显示面板的光罩掩模板数量对提升企业竞争力有积极促进作用。

如图1所示，现有的低温多晶硅显示面板包括：玻璃基板1’、遮光层2’、缓冲层3’、多晶硅层4’、层间绝缘层5’、栅电极层6’、栅绝缘层7’、源漏电极82’层8’、平坦层9’、公共电极层10’、钝化层11’和像素电极层12’，其中，所述多晶硅层4’包括沟道区41’、第一轻掺杂区42’和第二轻掺杂区43’，所述源漏电极82’层8’包括源电极81’和漏电极82’，所述平坦层9’和钝化层11’上开设有第一过孔13’，所述像素电极层12’通过所述第一过孔13’与所述漏电极82’相连接，所述层间绝缘层5’和栅绝缘层7’开设有与所述源电极81’和漏电极82’分别对应的两个第二过孔14’，所述源电极81’和漏电极82’通过对应的第二过孔14’与所述多晶硅层4’的第二轻掺杂区43’相连接。在制备该低温多晶硅显示面板时，各膜层的图案化需要使用对应的光罩掩模板来进行，所述第一过孔13’和第二过孔14’的制作也各需要使用对应的光罩掩模板来进行，整个制程需要的光罩掩模板数量过多。

在专利号为CN202010514729.6、CN201410853697.7和CN201510936669.6等中国专利中均公开了通过对低温多晶硅显示面板的结构或工艺进行优化，以减少光罩掩模板的数量，但是上述结构或工艺优化会使得低温多晶硅显示面板的结构或工艺变得更加复杂，实际上增加了低温多晶硅显示面板的制作难度。

实用新型内容

为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供一种低温多晶硅显示面板，可降低制作时所需的光罩掩模板的数量。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种低温多晶硅显示面板，包括衬底及设置于所述衬底上的多晶硅TFT器件，所述多晶硅TFT器件包括漏电极，还包括设置于所述多晶硅TFT器件上的像素电极层、设置于所述像素电极层上的钝化层及设置于所述钝化层上的公共电极层；所述像素电极层与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。

进一步地，还包括设置于所述多晶硅TFT器件和像素电极层之间的平坦层，所述平坦层上开设有与所述多晶硅TFT器件的漏电极相对应的第一过孔，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述多晶硅TFT器件的漏电极相连接。

进一步地，还包括设置于所述像素电极层和钝化层之间的平坦层。

进一步地，所述多晶硅TFT器件包括多晶硅层、设置于所述多晶硅层上的层间绝缘层、设置于所述层间绝缘层上的栅电极层、设置于所述栅电极层上的栅绝缘层及设置于所述栅绝缘层上的源漏电极层，其中，所述源漏电极层包括源电极和漏电极，所述层间绝缘层和栅绝缘层开设有与所述源电极和漏电极分别对应的两个第二过孔，所述源电极和漏电极通过对应的第二过孔与所述多晶硅层相连接。