[实用新型]半导体器件的封装结构以及电子设备有效
| 申请号： | 202221406265.8 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN217588915U | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 王志超;冯云艳;王申新 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 结构 以及 电子设备 | ||
1.一种半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：
封装基板，所述封装基板具有器件区和电极管脚；
半导体器件，所述半导体器件固定在所述器件区；所述半导体器件背离所述封装基板的一侧表面具有烧结件；
连接件，所述连接件的一端连接所述电极管脚，所述连接件的另一端连接所述烧结件。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述烧结件包括：
金属膜层；
纳米金属烧结层，所述纳米金属烧结层位于所述半导体器件与所述金属膜层之间，用于将所述金属膜层烧结固定在所述半导体器件背离所述封装基板的一侧表面。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属膜层为铜箔；
所述连接件为与所述铜箔焊接固定的铜带。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述纳米金属烧结层为纳米银烧结层、或是纳米铜烧结层。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：塑封层；
其中，所述塑封层覆盖所述连接件、所述半导体器件以及所述器件区，且露出所述电极管脚。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体器件为碳化硅芯片。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述碳化硅芯片包括：碳化硅MOSFET芯片、碳化硅二极管芯片、碳化硅IGBT芯片中的任意一种。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述半导体器件通过焊接层烧结固定在所述器件区。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装基板具有多个所述器件区，每个所述器件区用于固定一个所述半导体器件；
其中，多个所述器件区位于所述封装基板的同一侧表面。
10.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的封装结构。
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