[实用新型]半导体器件的封装结构以及电子设备

说明书

本申请技术方案公开了一种半导体器件的封装结构以及电子设备，所述封装结构包括：封装基板，所述封装基板具有器件区和电极管脚；半导体器件，所述半导体器件固定在所述器件区；所述半导体器件背离所述封装基板的一侧表面具有烧结件；连接件，所述连接件的一端连接所述电极管脚，所述连接件的另一端连接所述烧结件。本申请技术方案中，所述半导体器件通过烧结件与所述连接件连接，进而与所述电极管脚连接。相对于钎焊的连接方式，提高了高温应用环境下的连接可靠性，提高了半导体器件封装结构可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体器件的封装技术领域，更具体的说，涉及一种半导体器件的封装结构以及电子设备。

背景技术

随着科学技术的不断进步，越来越多的电子设备被广泛应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

电子设备实现各种功能的主要部件是集成电路，而半导体器件是集成电路中的重要电子元件。为了对半导体器件进行保护，也为了便于半导体器件的电路互联，一般需要通过封装工艺对半导体器件需要进行封装保护，形成封装结构。

现有技术中，半导体器件的封装结构可靠性较差。

实用新型内容

有鉴于此，本申请提供了一种半导体器件的封装结构以及电子设备，方案如下：

一种半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：

封装基板，所述封装基板具有器件区和电极管脚；

半导体器件，所述半导体器件固定在所述器件区；所述半导体器件背离所述封装基板的一侧表面具有烧结件；

连接件，所述连接件的一端连接所述电极管脚，所述连接件的另一端连接所述烧结件。

优选的，在上述封装结构中，所述烧结件包括：

金属膜层；

纳米金属烧结层，所述纳米金属烧结层位于所述半导体器件与所述金属膜层之间，用于将所述金属膜层烧结固定在所述半导体器件背离所述封装基板的一侧表面。

优选的，在上述封装结构中，所述金属膜层为铜箔；

所述连接件为与所述铜箔焊接固定的铜带。

优选的，在上述封装结构中，所述纳米金属烧结层为纳米银烧结层、或是纳米铜烧结层。

优选的，在上述封装结构中，还包括：塑封层；

其中，所述塑封层覆盖所述连接件、所述半导体器件以及所述器件区，且露出所述电极管脚。

优选的，在上述封装结构中，所述半导体器件为碳化硅芯片。

优选的，在上述封装结构中，所述碳化硅芯片包括：碳化硅MOSFET芯片、碳化硅二极管芯片、碳化硅IGBT芯片中的任意一种。

优选的，在上述封装结构中，所述半导体器件通过焊接层烧结固定在所述器件区。

优选的，在上述封装结构中，所述封装基板具有多个所述器件区，每个所述器件区用于固定一个所述半导体器件；

其中，多个所述器件区域位于所述封装基板的同一侧表面。

本申请还提供了一种电子设备，包括上述任一项所述的封装结构。