[实用新型]一种双面布线的芯片及其堆叠封装结构

说明书

本实用新型公开了一种双面布线的芯片及其堆叠封装结构，包括设置在底面的第一芯片，第一芯片的顶部堆叠设置若干个堆叠芯片，第一芯片包括晶圆片，晶圆片的正面和背面分别布置正面金属线和背面金属线，晶圆片上设置若干个贯穿晶圆片的通孔，每个通孔的内壁固定设置绝缘层，通孔内固定设置金属件，金属件的上下两端分别与正面金属线和背面金属线相连接，晶圆片的背面上设置与背面金属线相连接的金属凸点及金属球，堆叠芯片的正面布置堆叠金属线，正面金属线和堆叠金属线通过连接线连结。堆叠芯片既可以是普通芯片，也可以是像第一芯片一样的双面布金属线的芯片。本实用新型的目的是提供一种能够提供较小封装尺寸的芯片及其堆叠封装结构。

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造，尤其涉及一种双面布线的芯片及其堆叠封装结构。

背景技术

芯片，又称为微电路或者微芯片，其主要用于控制电子件运行。随着科技的发展及生活智能化的进程，芯片已经成为我们不可或缺的物件。芯片本质是在半导体基面上设置集成电路，使其成为具备特定功能。

现有的芯片为了降低成本、提高运行速度、提高组件的可靠性，主要采用FC-BGA（即Flip Chip Ball Grid Array，倒装芯片球栅格列阵）封装技术及WLCSP（即Wafer LevelChip Scale Packaging，晶圆片级芯片规模封装）封装方式，FC-BGA封装技术采用小球代替针脚来连接处理器，能够提供最短的对外连接距离，不仅提供优异的电性效能，同时可以减少组件互连间的损耗及电感，降低电磁干扰的问题，并承受较高的频率，突破超频极限就变成了可能；WLCSP封装方式是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸，能够降低损耗，降低企业运营成本。

但是现有的芯片只会在一个工作面上进行RDL（即Re-distributed layer，重布线层）工艺、UBM（即under bumping metallization，凸点下金属）工艺及植球工艺，而芯片的另一个面不进行布线和植球，这会带来如下问题：1、多个芯片进行堆叠时，芯片布线的一面无法直接与其上面的芯片连结，必须设置一个尺寸较大的基板，在基板上设置中转点，相邻两个芯片与中转点之间形成连结，这增大了封装尺寸；2、当产品需要具备多个功能能时，芯片只有一个工作面使得必须要设置更多的芯片进行堆叠，这增加了产品的制造成本。

发明内容

实用新型目的：本实用新型的目的是提供一种能够提供较小封装尺寸的芯片及其堆叠封装结。

技术方案：本实用新型所述的一种芯片的堆叠封装结构，包括设置在底面的第一芯片，所述第一芯片的顶部堆叠设置若干个堆叠芯片，所述第一芯片包括晶圆片，所述晶圆片的正面和背面分别布置正面金属线和背面金属线，晶圆片上设置若干个贯穿晶圆片的通孔，每个所述通孔的内壁固定设置绝缘层，通孔内固定设置金属件，所述金属件的上下两端分别与正面金属线和背面金属线相连接，晶圆片的背面上设置与背面金属线相连接的金属凸点及金属球，所述堆叠芯片的正面布置堆叠金属线，正面金属线和堆叠金属线通过连接线连结。所述堆叠芯片既可以是普通芯片，也可以是像第一芯片一样的双面布金属线的芯片。

进一步地，所述通孔与晶圆片正面形成的夹角为85°～90°。

一种双面布线的芯片，包括晶圆片，所述晶圆片的正面和背面分别布置正面金属线和背面金属线，晶圆片上设置若干个贯穿晶圆片的通孔，每个所述通孔的内壁固定设置绝缘层，通孔内固定设置金属件，所述金属件的上下两端分别与正面金属线和背面金属线相连接，晶圆片的背面上设置与背面金属线相连接的金属凸点及金属球。

进一步地，所述通孔与晶圆片正面形成的夹角为85°～90°。

进一步地，所述晶圆片的正面采用RDL工艺布置正面金属线。

进一步地，所述晶圆片的背面采用RDL工艺布置背面金属线。

进一步地，所述晶圆片的背面采用UBM工艺设置金属凸点。