[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 202221529608.X | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN217847962U | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李尚融;林士豪;耿文骏;杨智铨;黄志翔;王屏薇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征是，该半导体装置包括：
多个通道层，设置在一高台上方，其中该高台的多个侧壁朝向该高台的一中心向内弯曲，使得该高台的一中部的一宽度窄于该高台的一顶部的一宽度；
一栅极结构，包裹多个所述通道层的每一个并与该高台物理接触；
一外延源/漏极部件，邻接多个所述通道层；以及
一隔离部件，沉积在该高台的多个所述侧壁和外延源/漏极部件的多个侧壁上。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征是，该高台的多个所述侧壁的一上部具有一垂直轮廓，并且该高台的多个所述侧壁的一下部具有一曲率轮廓。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征是，该曲率轮廓在该高台的多个所述侧壁的其中一个上的一最高点开始于低于该曲率轮廓在该高台的多个所述侧壁的另一个上的一最高点的一位置。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征是，该高台从一基板突出，该高台的多个所述侧壁的该下部与该基板的一顶面形成在30度至50度的范围内的一角度。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征是，该外延源/漏极部件的一最窄宽度位于该隔离部件的一顶面之下。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征是，该外延源/漏极部件的该最窄宽度位于该隔离部件的该顶面和该高台的一顶面之间。
7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征是，该高台的一最窄宽度与该高台的一顶面的一宽度的比值在0.5至0.9的范围内。
8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征是，该栅极结构的一部分在该隔离部件的一顶面下方延伸。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征是，该栅极结构的该部分位于该高台的一顶面的正下方。
10.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征是，该栅极结构直接与该高台的一顶面接合。
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