[实用新型]双腔原子层沉积进气结构有效

专利信息
申请号: 202221577803.X 申请日: 2022-06-22
公开(公告)号: CN217781273U 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 陈明哲 申请(专利权)人: 无锡科特维尔电子技术有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/52
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 代理人: 崔婕
地址: 214000 江苏省无锡市滨*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 原子 沉积 结构
【权利要求书】:

1.一种双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:包括嵌套设置的外腔室(1)和内腔室(2),

所述外腔室(1)底部设有加热器(3)、载物台(4),

所述内腔室(2)位于载物台(4)上,内腔室(2)的两端分别设有抽气管(201)、前驱体扩散器(202),所述前驱体扩散器(202)的端部安装有匀气组件(5),匀气组件(5)包括若干个轴向叠加的匀气片(501)。

2.如权利要求1所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述前驱体扩散器(202)包括同轴设置的连接法兰(502)、顶部法兰(503),匀气片(501)叠加设置在连接法兰(502)和顶部法兰(503)之间。

3.如权利要求2所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述匀气片(501)面向顶部法兰(503)的一侧还安装有法兰片(504)。

4.如权利要求3所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述法兰片(504)上安装有管接头(505)。

5.如权利要求4所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:顶部法兰(503)上的管接头(505)从顶部法兰(503)圆心处垂直引出,法兰片(504)上的管接头(505)垂直于前驱体扩散器(202)轴线引出,且相邻法兰片(504)上的管接头(505)交错设置。

6.如权利要求3所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所有管接头(505)在前驱体扩散器(202)圆周环形阵列。

7.如权利要求2所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:匀气片(501)数量范围1-10片,每个匀气片(501)上设有气孔,气孔同轴设置或交错设置。

8.如权利要求1所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述内腔室(2)的前驱体扩散器(202)的设置为锥形,前驱体扩散器(202)安装于锥形的尖端位置。

9.如权利要求1所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述抽气管(201)与内腔室(2)相连的一端带有楔形口(203),抽气管(201)背离内腔室(2)的一端贯穿外腔室(1)底壁伸出。

10.如权利要求1所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述外腔室(1)的加热温度范围上限为300摄氏度。

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