[实用新型]双腔原子层沉积进气结构有效
申请号: | 202221577803.X | 申请日: | 2022-06-22 |
公开(公告)号: | CN217781273U | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 陈明哲 | 申请(专利权)人: | 无锡科特维尔电子技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 崔婕 |
地址: | 214000 江苏省无锡市滨*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原子 沉积 结构 | ||
1.一种双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:包括嵌套设置的外腔室(1)和内腔室(2),
所述外腔室(1)底部设有加热器(3)、载物台(4),
所述内腔室(2)位于载物台(4)上,内腔室(2)的两端分别设有抽气管(201)、前驱体扩散器(202),所述前驱体扩散器(202)的端部安装有匀气组件(5),匀气组件(5)包括若干个轴向叠加的匀气片(501)。
2.如权利要求1所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述前驱体扩散器(202)包括同轴设置的连接法兰(502)、顶部法兰(503),匀气片(501)叠加设置在连接法兰(502)和顶部法兰(503)之间。
3.如权利要求2所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述匀气片(501)面向顶部法兰(503)的一侧还安装有法兰片(504)。
4.如权利要求3所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述法兰片(504)上安装有管接头(505)。
5.如权利要求4所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:顶部法兰(503)上的管接头(505)从顶部法兰(503)圆心处垂直引出,法兰片(504)上的管接头(505)垂直于前驱体扩散器(202)轴线引出,且相邻法兰片(504)上的管接头(505)交错设置。
6.如权利要求3所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所有管接头(505)在前驱体扩散器(202)圆周环形阵列。
7.如权利要求2所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:匀气片(501)数量范围1-10片,每个匀气片(501)上设有气孔,气孔同轴设置或交错设置。
8.如权利要求1所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述内腔室(2)的前驱体扩散器(202)的设置为锥形,前驱体扩散器(202)安装于锥形的尖端位置。
9.如权利要求1所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述抽气管(201)与内腔室(2)相连的一端带有楔形口(203),抽气管(201)背离内腔室(2)的一端贯穿外腔室(1)底壁伸出。
10.如权利要求1所述的双腔原子层沉积进气结构,其特征在于:所述外腔室(1)的加热温度范围上限为300摄氏度。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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