[实用新型]双腔原子层沉积进气结构有效
申请号: | 202221577803.X | 申请日: | 2022-06-22 |
公开(公告)号: | CN217781273U | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 陈明哲 | 申请(专利权)人: | 无锡科特维尔电子技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 崔婕 |
地址: | 214000 江苏省无锡市滨*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 原子 沉积 结构 | ||
本实用新型涉及一种双腔原子层沉积进气结构,包括嵌套设置的外腔室和内腔室,所述外腔室底部设有加热器、载物台,所述内腔室位于载物台上,内腔室的两端分别设有抽气管、前驱体扩散器,所述前驱体扩散器的端部安装有匀气组件,匀气组件包括若干个轴向叠加的匀气片。本实用新型结构紧凑、合理,操作方便,外腔室带有加热结构,内部还设有载物台,内腔室具有独立的抽气结构,内腔室的前端带有锥形的前驱体扩散器,前驱体扩散器的前端有匀气组件,能够在气体注入前驱体扩散器的同时,增强前驱体源的扩散性。
技术领域
本实用新型涉及真空薄膜制备技术领域,尤其是一种双腔原子层沉积进气结构。
背景技术
原子层沉积为目前先进的薄膜沉积技术。当前原子层沉积多为单一平面如硅晶圆的表面沉积。腔室较小,前驱体扩散难度较小。
如果沉积大批量样品时只单纯扩大其结构,扩散距离的增长,容易使腔体内的前驱体处气体分布不均,进而造成产品各生长面薄膜厚度出现不均一性;同时,单腔室热盘加热结构不易扩大,在空间上加热不均匀;热盘或单腔结构不易维护,内加热会造成气流死角过多,在沉积过程中产生大量颗粒。
实用新型内容
本申请人针对上述现有生产技术中的缺点,提供一种结构合理的双腔原子层沉积进气结构,具有内外两个腔室,两个腔室分别提供加热和抽气功能,并增设了立体式的匀气结构,从而提高气体的扩散性。
本实用新型所采用的技术方案如下:
一种双腔原子层沉积进气结构,包括嵌套设置的外腔室和内腔室,
所述外腔室底部设有加热器、载物台,
所述内腔室位于载物台上,内腔室的两端分别设有抽气管、前驱体扩散器,所述前驱体扩散器的端部安装有匀气组件,匀气组件包括若干个轴向叠加的匀气片。
作为上述技术方案的进一步改进:
所述前驱体扩散器包括同轴设置的连接法兰、顶部法兰,匀气片叠加设置在连接法兰和顶部法兰之间。
所述匀气片面向顶部法兰的一侧还安装有法兰片。
所述法兰片上安装有管接头。
顶部法兰上的管接头从顶部法兰圆心处垂直引出,法兰片上的管接头垂直于前驱体扩散器轴线引出,且相邻法兰片上的管接头交错设置。
所有管接头在前驱体扩散器圆周环形阵列。
匀气片数量范围1-10片,每个匀气片上设有气孔,气孔同轴设置或交错设置。
所述内腔室的前驱体扩散器的设置为锥形,前驱体扩散器安装于锥形的尖端位置。
所述抽气管与内腔室相连的一端带有楔形口,抽气管背离内腔室的一端贯穿外腔室底壁伸出。
所述外腔室的加热温度范围上限为300摄氏度。
本实用新型的有益效果如下:
本实用新型结构紧凑、合理,操作方便,外腔室带有加热结构,内部还设有载物台,内腔室具有独立的抽气结构,内腔室的前端带有锥形的前驱体扩散器,前驱体扩散器的前端有匀气组件,能够在气体注入前驱体扩散器的同时,增强前驱体源的扩散性。
本实用新型改进了原子层沉积的放大问题,双腔室结构能够均匀加热,并减少扩散死角,增强维护性。
本实用新型中加入独立的前驱体扩散腔室,通过匀气,提升腔室的源扩散情况,改善薄膜均匀性。
匀气结构为多片匀气片叠加设置,每个匀气片上都有气孔,这些匀气片堆叠后,气孔之间形成立体的通道,多个气孔通道有利于源扩散,而且能够根据实际工况,调节匀气片的数量,从而达到扩散最优解。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡科特维尔电子技术有限公司,未经无锡科特维尔电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221577803.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的