[实用新型]一种多层纳米晶电感器有效
| 申请号： | 202221624047.1 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN218482079U | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 刘开煌;高鹏;杨雪薇;虞成城 | 申请（专利权）人： | 深圳市信维通信股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/28 | 分类号： | H01F27/28;H01F27/34;H01F27/36;H01F27/33;H01F27/24 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 欧阳燕明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 纳米 电感器 | ||
1.一种多层纳米晶电感器，其特征在于，包括多层纳米晶线路板和多组导电柱；
多层所述纳米晶线路板通过多组所述导电柱依次层叠设置；
所述纳米晶线路板包括磁性复合基板、线圈图案和磁性浆料；
所述线圈图案设置于所述磁性复合基板一侧的表面；
所述磁性浆料设置于所述磁性复合基板与所述线圈图案形成的空隙中。
2.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器，其特征在于，所述磁性复合基板包括至少一层的纳米晶磁性层和至少一层的衬底胶层；
所述纳米晶磁性层包括多组纳米晶磁性碎片；
所述衬底胶层设置于多组所述纳米晶磁性碎片之间；
不同层的所述磁性复合基板中的所述纳米晶磁性层层叠设置。
3.根据权利要求2所述的一种多层纳米晶电感器，其特征在于，所述磁性复合基板包括两层所述纳米晶磁性层；
所述衬底胶层还设置于两层的所述纳米晶磁性层之间。
4.根据权利要求2或3所述的一种多层纳米晶电感器，其特征在于，所述纳米晶磁性层的厚度范围为15um-30um；
所述衬底胶层的厚度范围为2um-8um。
5.根据权利要求2所述的一种多层纳米晶电感器，其特征在于，所述纳米晶磁性层的相对磁导率范围为100-500；
不同层的所述磁性复合基板中的所述纳米晶磁性层的相对磁导率不同。
6.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器，其特征在于，不同层的所述纳米晶线路板上的所述导电柱的位置彼此错位分布，且所有所述导电柱在底层的所述纳米晶线路板上的投影不重合。
7.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器，其特征在于，所述线圈图案的厚度范围为20um-40um；
所述线圈图案的宽厚比范围为5:1-20:1。
8.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器，其特征在于，所述磁性浆料的厚度与线圈图案的厚度的比值范围为1.1-1.5。
9.根据权利要求1所述的一种多层纳米晶电感器，其特征在于，所述磁性浆料的相对磁导率范围为20-40。
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