[实用新型]H桥驱动电路

权利要求书

1.一种H桥驱动电路，H桥包括第一桥臂和第二桥臂，第一桥臂包括上开关管Q101和下开关管Q103，第二桥臂包括上开关管Q102和下开关管Q104；其特征在于，所述H桥驱动电路包括电源Vd、第一PWM输入端P1、第二PWM输入端P2、第一驱动子电路和第二驱动子电路；

所述第一驱动子电路包括PNP三极管Q105、NPN三极管Q106至Q107、电容C101、电阻R101至R108；电阻R101的一端、电阻R102的一端和PNP三极管Q105的发射极分别与电源Vd连接，电阻R101的另一端与电阻R103的一端的共接点连接上开关管Q101的控制端，电阻R102的另一端与电阻R104的一端的共接点连接PNP三极管Q105的基极，电阻R103的另一端与电阻R104的另一端的共接点连接NPN三极管Q106的集电极；PNP三极管Q105的集电极与电阻R105的一端连接，电阻R105的另一端与电阻R106的一端的共接点连接下开关管Q104的控制端；电阻R107的一端连接第一PWM输入端P1，电阻R107的另一端分别连接NPN三极管Q106的基极、NPN三极管Q107的集电极和电容C101的一端；电阻R108的一端连接第二PWM输入端P2，电阻R108的另一端连接NPN三极管Q107的基极； NPN三极管Q106的发射极、NPN三极管Q107的发射极、电容C101的另一端和电阻R106的另一端均接地；

所述第二驱动子电路包括PNP三极管Q108、NPN三极管Q109至Q110、电容C102、电阻R109至电阻R116；电阻R109的一端、电阻R110的一端和PNP三极管Q108的发射极分别与电源Vd连接，电阻R109的另一端与电阻R111的一端的共接点连接上开关管Q102的控制端，电阻R110的另一端与电阻R112的一端的共接点连接PNP三极管Q108的基极，电阻R111的另一端与电阻R112的另一端的共接点连接NPN三极管Q109的集电极；PNP三极管Q108的集电极与电阻R113的一端连接，电阻R113的另一端与电阻R114的一端的共接点连接下开关管Q103的控制端；电阻R115的一端连接第二PWM输入端P2，电阻R115的另一端分别连接NPN三极管Q109的基极、NPN三极管Q110的集电极和电容C102的一端；电阻R116的一端连接第一PWM输入端P1，电阻R116的另一端连接NPN三极管Q110的基极，NPN三极管Q109的发射极、NPN三极管Q110的发射极、电容C102的另一端和电阻R114的另一端均接地。

2.如权利要求1所述的H桥驱动电路，其特征在于，上开关管Q101与下开关管Q103推挽连接，上开关管Q102与下开关管Q104推挽连接；

上开关管Q101和上开关管Q102为低电平有效的开关管，下开关管Q103和下开关管Q104为高电平有效的开关管。

3.如权利要求2所述的H桥驱动电路，其特征在于，上开关管Q101和上开关管Q102为PMOS管，上开关管Q101和上开关管Q102的控制端为PMOS管的栅极；

下开关管Q103和下开关管Q104为NMOS管，下开关管Q103和下开关管Q104的控制端为NMOS管的栅极。