[实用新型]H桥驱动电路

说明书

一种H桥驱动电路，包括电源Vd、第一PWM输入端P1、第二PWM输入端P2、第一驱动子电路和第二驱动子电路；第一驱动子电路包括PNP三极管Q105、NPN三极管Q106至Q107、电容C101、电阻R101至R108；第二驱动子电路包括PNP三极管Q108、NPN三极管Q109至Q110、电容C102、电阻R109至电阻R116。本实用新型使用互锁逻辑，避免了H桥的同一桥臂的上管和下管同时打开而烧毁的现象，通过RC电路的充放电，确保H桥开关管能够做到慢开快关，避免了H桥的同一桥臂出现一个开关管未完全关闭时另外一个开关管已经打开而烧毁H桥的现象。

技术领域

本实用新型涉及H桥驱动电路。

背景技术

H桥在电机驱动器中比较常见，在一些需要换向的LED驱动器内也会使用到。图1示出了H桥的电路示意图。H桥的使用中，死区时间是必须要考虑的关键因素，死区时间是指在该时间段内不会输出。如图1所示，因开关管的开通或者关断存在延时，会导致同一桥臂上的上管和下管在切换过程中，出现上管和下管同时打开的重合时间区域，导致电源通过同一桥臂的上管和下管短路到地，从而出现大电流，烧毁开关管。死区的时间如足够长，在可能重合的时间区域不会打开同一桥臂的开关管，从而能保证开关管的安全使用。

目前解决死区时间的常见方案有两种，第一种方案是软件优化，通过软件设置增加足够长的死区时间；第二种方案是选用市场上已有的驱动集成芯片，这种芯片集成了死区相关的控制逻辑。上述两种方案存在以下不足：

第一种方案依靠软件来解决当前问题，在各个不同的阶段均存在一定的安全风险：

A、在开发阶段，为了找到合适的死区时间，会做大量的调试验证，在此过程中，经验不丰富的调试人员会出现很多次烧毁开关管的现象；

B、在实验阶段，干扰类实验（如ESD/RI/PT）的测试过程中，可能会改写MCU寄存器里的值，从而导致死区时间设置异常而烧毁开关管；

C、在量产后，软件的可靠性测试都是在固定的条件下进行的，并不能完全涵盖投入市场后的各个使用工况，在某个条件下，就可能诱发出某个Bug的出现，从而导致程序絮乱，出现死区时间设置异常而烧毁开关管；

第二种方案选用市场上现有的芯片来解决H桥的死区问题，存在以下问题：

A、现有芯片的死区时间相对固定，对开关管的选取有一定的要求，给设计和生产都造成了不便；

B、价格相对较高，增加了产品的研发成本。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种H桥驱动电路，其能调整H桥的死区时间，避免H桥的同一桥臂的上管和下管同时打开而烧毁，且实施成本低。