[实用新型]一种MOCVD反应室粉尘清理装置有效
申请号: | 202221641898.7 | 申请日: | 2022-06-28 |
公开(公告)号: | CN217941184U | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 黎静;田青林 | 申请(专利权)人: | 江苏实为半导体科技有限公司 |
主分类号: | B08B5/04 | 分类号: | B08B5/04;B03C1/02;C30B25/02;B01D46/64;B01D46/76 |
代理公司: | 深圳市广诺专利代理事务所(普通合伙) 44611 | 代理人: | 侯英俊 |
地址: | 221000 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mocvd 反应 粉尘 清理 装置 | ||
本实用新型公开了一种MOCVD反应室粉尘清理装置,包括:清理分离箱、吸尘分离机构和防堵塞机构;清理分离箱内设有支撑分隔板;吸尘分离机构设于清理分离箱上,吸尘分离机构包括气泵,气泵上连接有吸气管,支撑分隔板的下方设有电磁铁;防堵塞机构安装于清理分离箱上,防堵塞机构包括电动机,电动机上连接有旋转传动杆,旋转传动杆上连接有连接绳,连接绳的另一端连接有敲打球,旋转传动杆上安装有敲打凸块。本实用新型通过对MOCVD反应室粉尘清理装置相应机构的设置,使得在将MOCVD反应室内的粉碎吸出后能够进行金属粉尘与非金属粉尘的分离,进而方便对金属粉尘的回收,不易造成资源浪费,为使用者降低生产成本。
技术领域
本实用新型属于粉尘清理技术领域,具体涉及一种MOCVD反应室粉尘清理装置。
背景技术
MOCVD是指:金属有机化合物化学气相淀积,MOCVD技术是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。该MOCVD技术以III 族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。在MOCVD反应腔中, MOCVD生长机构及其复杂生长过程涉及输运和多组分、多相的化学反应。
在MOCVD反应室内会产生粉尘,并且粉尘的温度较高且不稳定,所以不宜与空气进行直接接触,而且粉尘中会含有大量的金属粉尘,而现有技术中通常采用吸尘器进行清理,但不具备分离的功能,进而使金属粉尘不易进行回收处理,造成资源的浪费和生产成本的提高,为使用者带来不必要的经济损失。
因此,针对上述技术问题,有必要提供一种MOCVD反应室粉尘清理装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种MOCVD反应室粉尘清理装置,以解决上述现有技术中MOCVD反应室粉尘的清理会造成资源浪费的问题。
为了实现上述目的,本实用新型一实施例提供的技术方案如下:
一种MOCVD反应室粉尘清理装置,包括:清理分离箱、吸尘分离机构和防堵塞机构;
所述清理分离箱内设有支撑分隔板;
所述吸尘分离机构设于所述清理分离箱上,所述吸尘分离机构包括气泵,所述气泵上连接有吸气管,所述吸气管的另一端插设于所述清理分离箱内,所述支撑分隔板的下方设有电磁铁,所述电磁铁与支撑分隔板之间连接有缓冲连接组件;
所述防堵塞机构安装于所述清理分离箱上,所述防堵塞机构包括电动机,所述电动机上连接有旋转传动杆,所述旋转传动杆上连接有连接绳,所述连接绳的另一端连接有敲打球,所述旋转传动杆上安装有敲打凸块。
进一步地,所述清理分离箱上连接有送气管,用于连接MOCVD反应室,进而方便将粉尘吸出,所述支撑分隔板上安装有换热排水管和换热进水管,用于通入冷却水,进而气体在通气道中流动时能够对气体进行降温,进而达到对粉尘降温的作用;
所述支撑分隔板上开凿有冷却换热槽,用于冷却水的流动,所述换热排水管和换热进水管的一端均与冷却缓冲槽相连通,方便通入和排出冷却水。
进一步地,所述支撑分隔板上开凿有收集腔,用于将气体分散通入多个通气道中,方便气体和粉尘的快速流通,所述收集腔的侧壁上开凿有多个均匀分布的连通孔,方便气体的流动,所述支撑分隔板上开凿有多个通气道,用于将气体导入支撑分隔板的另一侧,进而方便过滤粉尘;
多个所述通气道与多个冷却缓冲槽相互错开设置,使冷却水不易与粉尘接触,并且使粉尘在流动过程中能够得到降温处理。
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