[实用新型]光罩有效
申请号: | 202221695712.6 | 申请日: | 2022-06-30 |
公开(公告)号: | CN217879973U | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 陈都 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 彭宇 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩 | ||
1.一种光罩,其特征在于,包括:
光罩主体,包括至少一第一开口;
准直遮光层,位于所述光罩主体的一侧,所述准直遮光层包括至少一准直遮光单元,所述准直遮光单元包括一准直孔;
其中,一所述准直遮光单元围绕一所述第一开口设置,在垂直于所述光罩主体的方向上,一所述第一开口与一所述准直孔重合设置。
2.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,第一截面垂直于所述光罩,在任一所述第一截面上,所述第一开口的宽度为L,所述第一开口的最大宽度为Lmax,所述准直遮光单元的厚度为H;
其中,至少一所述准直孔满足以下关系:H≥Lmaxtan2°。
3.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述第一开口为矩形,所述矩形包括两个长边和两个短边,所述短边的长度为M,所述长边的长度为N,所述准直遮光单元的厚度为H;
其中,N≥10M,所述准直孔满足以下关系:H≥Mtan2°。
4.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述光罩主体包括多个所述第一开口,所述准直遮光层包括多个所述准直遮光单元;
其中,相邻两个所述准直遮光单元间隔设置。
5.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述光罩主体包括多个所述第一开口,所述准直遮光层包括多个所述准直遮光单元;
其中,相邻两个所述准直遮光单元接触设置。
6.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述准直遮光层还包括至少一透明单元,所述透明单元位于所述准直孔内。
7.根据权利要求6所述的光罩,其特征在于,所述透明单元与所述准直遮光单元一体设置。
8.根据权利要求1所述的光罩,其特征在于,所述光罩还包括位于所述准直遮光层与所述光罩主体之间的金属遮光层,所述金属遮光层包括至少一第三开口,一所述第一开口与一所述第三开口重合设置。
9.根据权利要求8所述的光罩,其特征在于,所述准直遮光单元的透光率小于所述金属遮光层的透光率。
10.根据权利要求8所述的光罩,其特征在于,所述准直遮光单元的厚度大于所述金属遮光层的厚度。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备