[实用新型]一种适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板

权利要求书

1.一种适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的上表面形成有微波波导结构，所述衬底的上表面还分布有打线区，所述衬底的下表面分布有背面电极；所述衬底上还设有导电通孔，通过所述导电通孔实现所述打线区与所述背面电极的电导通。

2.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，所述背面电极还电连接有薄膜集成元件。

3.根据权利要求2所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，所述薄膜集成元件的基底采用低阻硅片。

4.根据权利要求2或3所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，所述薄膜集成元件与所述衬底采用焊料共晶的方式进行电连接。

5.根据权利要求4所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，在所述衬底上的薄膜集成元件的非连接区域还镀有铜、金、铝、钛或铂。

6.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，所述衬底采用硅、氮化铝、氧化铍或氧化铝材料制成。

7.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，所述衬底的厚度为100～500um之间。

8.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，所述导电通孔内填充有导电材料，所述导电材料包括：钛、金、铜、铝、钨或铂。

9.根据权利要求1所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，所述微波波导结构采用钛、金、铝、铜、银或铂制成。

10.根据权利要求1或2或3或6或7或8或9所述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其特征在于，在所述衬底的下表面还刻蚀有用于安装分立器件的腔体。