[实用新型]一种适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板

说明书

本申请公开了一种适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，包括：衬底，所述衬底的上表面形成有微波波导结构，所述衬底的上表面还分布有打线区，所述衬底的下表面分布有背面电极；所述衬底上还设有导电通孔，通过所述导电通孔实现所述打线区与所述背面电极的电导通。本申请避免了衬底的上表面的贴装或者集成元件，而是将占面积的电阻，电容等元件转移到了下表面，这样可以重复利用下表面的面积实现电容电阻等元件的设计，整体上可以将基板尺寸最小化。

技术领域

本申请属于光电子器件技术领域，具体涉及一种适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板。

背景技术

在光纤通信技术中，主要采用半导体激光器作为信号源。随着激光器芯片制备技术的不断完善，不但激光器芯片的成本大大降低，而且单个激光器芯片的调制频率也已达到10GHZ甚至几十GHZ。目前制约信号源特性和成本的关键因素主要在于封装技术。在COC(Chip-on-Chip)封装工艺中，封装基板要给激光器提供高频信号。为了满足高频传输和信号的耦合，去耦等功能，电路要匹配电容，电阻，电感等器件。随着速率的提高，如800G光模块，需要多个激光器并列封装。从功耗等方面考虑，要减小COC封装尺寸。目前封装基板一般表面贴装或者集成电阻，电容等高频匹配元件。但是随着尺寸缩小，已经没有足够的空间供贴装或者占用表面积的电容集成。

实用新型内容

针对上述现有技术的缺点或不足，本申请要解决的技术问题是提供一种适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板。

为解决上述技术问题，本申请通过以下技术方案来实现：

本申请提出了一种适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，包括：衬底，所述衬底的上表面形成有微波波导结构，所述衬底的上表面还分布有打线区，所述衬底的下表面分布有背面电极；所述衬底上还设有导电通孔，通过所述导电通孔实现所述打线区与所述背面电极的电导通。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，所述背面电极还电连接有薄膜集成元件。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，所述薄膜集成元件的基底采用低阻硅片。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，所述薄膜集成元件与所述衬底采用焊料共晶的方式进行电连接。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，在所述衬底的非薄膜集成元件的连接区域还镀有铜、金、铝、钛或铂等一种或者多种金属组合。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，所述衬底采用硅、氮化铝、氧化铍或氧化铝材料制成。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，所述衬底的厚度为100～500um之间。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，所述导电通孔内填充有导电材料，所述导电材料包括但不限于：钛、金、铜、铝、钨或铂。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，所述微波波导结构采用钛、金、铝、铜、银或铂制成。

可选地，上述的适用于高速激光器芯片封装的硅集成基板，其中，在所述衬底的下表面还刻蚀有用于安装分立器件的腔体。

与现有技术相比，本申请具有如下技术效果：

本申请避免了衬底的上表面的贴装或者集成元件，而是将占面积的电阻，电容等元件转移到了下表面，这样可以重复利用下表面的面积实现电容电阻等元件的设计，整体上可以将基板尺寸最小化。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：