[实用新型]一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET有效
| 申请号： | 202221732055.8 | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN217719614U | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张长沙;李昀佶;单体伟 | 申请（专利权）人： | 浏阳泰科天润半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 410300 湖南省长沙市浏阳高新技*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低速 emi 碳化硅 mosfet | ||
【权利要求书】：
1.一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：
一碳化硅衬底，
一漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有第一通孔；
一基区，所述基区设于所述漂移层上，所述基区上设有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔连接，所述基区上设有沟槽；
一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层为凹字形，且所述栅极绝缘层设于所述第一通孔以及第二通孔内，且所述栅极绝缘层底部连接至所述碳化硅衬底上侧面；
一源区，所述源区设于所述基区的沟槽内；
一栅电极延伸区，所述栅电极延伸区设于所述栅极绝缘层内；
一源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；
一栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅电极延伸区；
以及，一漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
2.如权利要求1所述的一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述漂移层为N型，所述基区为P型，所述源区为N+型。
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