[实用新型]一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET

说明书

本实用新型提供了一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET，包括：漂移层设于碳化硅衬底上侧面，漂移层上设有第一通孔；基区设于漂移层上，基区上设有第二通孔，第一通孔与第二通孔连接，基区上设有沟槽；栅极绝缘层为凹字形，且栅极绝缘层设于第一通孔以及第二通孔内，且栅极绝缘层底部连接至碳化硅衬底上侧面；源区设于基区的沟槽内；栅电极延伸区设于栅极绝缘层内；源极金属层连接至源区；栅极金属层连接至栅电极延伸区；漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面。

技术领域

本实用新型涉及一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET。

背景技术

碳化硅器件的碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其高温大功率电子器件具备输入阻抗高、工作频率高、耐高温高压等优点，在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛应用。

在一些特种应用中，对于电磁环境有着严格的要求，为了提高系统的抗EMI性能，需要对SiC功率器件做特殊的设计以满足对复杂电磁环境的兼容性和抗干扰性能。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET，降低器件的开关速度，从而提高抗EMI性能。

本实用新型是这样实现的：一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET，包括：

一碳化硅衬底，

一漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有第一通孔；

一基区，所述基区设于所述漂移层上，所述基区上设有第二通孔，所述第一通孔与所述第二通孔连接，所述基区上设有沟槽；

一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层为凹字形，且所述栅极绝缘层设于所述第一通孔以及第二通孔内，且所述栅极绝缘层底部连接至所述碳化硅衬底上侧面；

一源区，所述源区设于所述基区的沟槽内；

一栅电极延伸区，所述栅电极延伸区设于所述栅极绝缘层内；

一源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区；

一栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅电极延伸区；

以及，一漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。

进一步地，所述漂移层为N型，所述基区为P型，所述源区为N+型。

本实用新型的优点在于：

通过栅极金属层直通碳化硅衬底的栅极通道，该栅极通道一方面用来减少栅极到漏极的距离，增加栅极和漏极的电容，降低器件的开关速度，从而提高抗EMI性能，另一方面可以在栅极的两侧形成纵向的低阻导电通道，降低器件的导通电阻。

附图说明

下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。

图1是本实用新型一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的原理示意图。

图2是本实用新型一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的制造方法流程图一。

图3是本实用新型一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的制造方法流程图二。

图4是本实用新型一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的制造方法流程图三。

图5是本实用新型一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的制造方法流程图四。

图6是本实用新型一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的制造方法流程图五。

图7是本实用新型一种低速抗EMI的碳化硅MOSFET的制造方法流程图六。