[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

多个通道构件的一垂直堆叠物，置于一基底的上方；

一栅极结构，包覆多个所述通道构件的该垂直堆叠物的每个通道构件的周围；以及

一源极/漏极部件，置于该基底的上方并耦接于多个所述通道构件的该垂直堆叠物；其中

该源极/漏极部件是通过一第一空气间隙与一第一介电层而与该栅极结构的一侧壁隔开；

该第一空气间隙延伸至该源极/漏极部件中。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

多个所述通道构件的该垂直堆叠物包括一第一通道构件与一第二通道构件，该第一通道构件置于该第二通道构件的正上方且通过该第一介电层与该第一空气间隙的一部分而与该第二通道构件隔开。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第二通道构件通过一第二介电层与一第二空气间隙而与该基底隔开，其中该第一空气间隙的体积大于该第二空气间隙的体积。

4.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一基底；

一第一纳米结构，置于该基底的上方且通过一第一内间隔物部件而与该基底隔开；

一第二纳米结构，置于该第一纳米结构的上方且通过一第二内间隔物部件而与该第一纳米结构隔开；

一栅极结构，包覆该第一纳米结构与该第二纳米结构的周围；以及

一源极/漏极部件，相邻于该第一纳米结构与该第二纳米结构；其中

该第二内间隔物部件的体积大于该第一内间隔物部件的体积。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

该第一内间隔物部件包括一第一介电层与一第一空气间隙；以及

该第一空气间隙通过该第一介电层而与该栅极结构隔开。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

该第二内间隔物部件包括一第二介电层与一第二空气间隙；以及

该第二空气间隙的体积大于该第一空气间隙的体积。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一最顶纳米结构，置于该第二纳米结构的上方且通过一第三内间隔物部件而与该第二纳米结构隔开，该第三内间隔物部件包括一第三空气间隙，该第三空气间隙通过一第三介电层而与该栅极结构隔开；其中

该第二空气间隙的体积大于该第三空气间隙的体积。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

该源极/漏极部件的面对该栅极结构的一侧壁在垂直于该基底的顶表面的剖面图具有一弯曲表面，而该弯曲表面的一部分弯向该源极/漏极部件且远离该栅极结构。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

一源极/漏极接触件，置于该源极/漏极部件的上方，并通过硅化物层而电性耦接于该源极/漏极部件；其中

该第二空气间隙的一部分是置于该源极/漏极接触件的正下方。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

该栅极结构包括一下部与一上部，该下部夹设于该第一纳米结构与该第二纳米结构之间，该上部设于该最顶纳米结构的上方；以及

该硅化物层与该第二空气间隙之间的距离对比于该栅极结构的该下部的厚度的比值为0.5与3之间。