[实用新型]新型屏蔽栅沟槽MOSFET

权利要求书

1.一种新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，包括：

衬底片；

外延层，其生长在所述衬底片上，并在所述外延层上沉积氧化硅形成硬掩膜；

沟槽，其利用沟槽掩膜版在所述硬掩膜上刻蚀所述外延层，得到所述沟槽后移除所述硬掩膜；

衬垫氧化层，其生长覆盖在所述沟槽的表面和所述外延层的表面；

氮化硅层，其生长覆盖在所述衬垫氧化层的表面；

场介质层，其生长覆盖在所述氮化硅层的表面；

源极多晶硅，其填充在位于所述沟槽内的所述场介质层上，对所述源极多晶硅进行一次回蚀，使得所述源极多晶硅的高度小于所述沟槽的深度，通过回蚀将裸露的所述场介质层移除，通过二次回蚀将所述源极多晶硅与未移除的所述场介质层齐平；

隔离氧化层，其在所述源极多晶硅的顶部氧化形成，并将所述氮化硅层的上半部分刻蚀掉，直至与所述隔离氧化层齐平；

栅极多晶硅，其在所述隔离氧化层表面生长的栅极氧化层上淀积形成。

2.根据权利要求1所述的新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，

所述硬掩膜的的厚度范围为0.1um至5um。

3.根据权利要求1所述的新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，

所述沟槽的深度范围为1um至12um。

4.根据权利要求1所述的新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，

所述衬垫氧化层的厚度范围在50A至300A。

5.根据权利要求1所述的新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，

所述氮化硅层的厚度范围在50A至500A。

6.根据权利要求1所述的新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，

所述隔离氧化层的厚度范围在500A至5000A。

7.根据权利要求1所述的新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，所述将所述氮化硅层的上半部分刻蚀掉，包括：

利用湿法刻蚀工艺去除所述氮化硅层的上半部分。

8.根据权利要求1所述的新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，所述对所述源极多晶硅进行一次回蚀，使得所述源极多晶硅的高度小于所述沟槽的深度，包括：

经一次回蚀后的所述源极多晶硅的高度小于所述沟槽的深度，并且不小于所述沟槽深度的一半。

9.根据权利要求1所述的新型屏蔽栅沟槽MOSFET，其特征在于，

所述沟槽的深度不大于所述外延层的厚度。