[实用新型]一种LED芯片对位装置

说明书

本实用新型公开了一种LED芯片对位装置，在基板和光罩上设置有曝光机定位识别标记和镜检检验标记，可通过基板和光罩上的曝光机定位识别标记进行曝光机对基板各膜层的自动对位；可通过基板和光罩上的镜检检验标记，对套合情况进行目检，由于镜检检验标记为十字形状，因此镜检时可更方便快速地检验出图形偏移异常，有效提高检验效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体电子技术领域，特别涉及一种LED芯片对位装置。

背景技术

光刻作为氮化镓基发光二极管(Light Emitting Diode，LED)制备的一重要步骤，其是通过用照相复印的方法将掩模版上的图案转移到硅片表面，以实现后续有选择地进行刻蚀或者金属薄膜蒸镀。

其中，为保证多道工序套合，光刻机对准机制通过机台软件与CCD来识别基板台定位标记(Wafer)与光罩定位标记(Mask)上的Alignment key(对位标记)，找到Alignmentkey的中心位置，进行掩模版上对硅片的图形转移及对准。曝光机可通过机台显微镜识别可见区域内与程序相似的图形，若识别出相似度大于70％以上的图形，机台默认该图形为对位图形。机台将自动确认光刻版与产品上图形的中心位置；将光刻版与产品上图形的中心位置重叠，重叠偏差小于0.5μm，则进行机台自动曝光。

在多次光刻中，除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与之前层次留下的图形进行对准。因此，为确保不同膜层的套合精度(Wafer芯片上Alignment key图形为第一步光刻刻蚀后制作，后续Alignment key为当层光罩版光刻制作图形)，需对左右Alignment key进行测量。并且，由于原Alignment key需承担曝光机对位搜索识别功能，Alignment key与边框的距离为40-70μm,肉眼无法直接目视识别，其中，具体距离需视不同形状Alignment key而定，为避免不同膜层检索到相同定位，每层Alignment key设计形状不一。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种LED芯片对位装置，能够减少不同膜层对位键的测量时间，提高产线检验速度。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种LED芯片对位装置，包括设置有对位标记的基板和光罩：

所述对位标记包括曝光机定位识别标记和镜检检验标记；

所述基板上的第一曝光机定位识别标记与所述光罩上的第二曝光机定位识别标记位置相对应，所述基板上每一膜层的所述第一曝光机定位识别标记形状不同；

所述基板上的第一镜检检验标记与所述光罩上的第二镜检检验标记位置相对应，所述第一镜检检验标记和所述第二镜检检验标记均为十字形状。

进一步地，所述第一镜检检验标记外围设置有多层与所述第一镜检检验标记形状相同、同心且尺寸不同的测量标记。

进一步地，所述第一镜检检验标记与最接近的所述测量标记的间距为1μm；

相邻的所述测量标记的间距为1μm。

进一步地，所述第一曝光机定位识别标记的长度和高度均为110～130μm。

进一步地，所述第二曝光机定位识别标记的长度和高度均为250～270μm。

进一步地，所述第一镜检检验标记的长度和高度均小于50μm。

进一步地，所述第二镜检检验标记与所述第一镜检检验标记的间距为3～5μm。

进一步地，所述第一曝光机定位识别标记和所述第一镜检检验标记的中心点在同一水平线上；

所述第一曝光机定位识别标记和所述第一镜检检验标记的距离大于100μm。