[实用新型]一种沟槽型大功率MOSFET器件

权利要求书

1.一种沟槽型大功率MOSFET器件，包括器件主体(1)和均热板(2)，其特征在于：所述器件主体(1)的一侧固定有若干引脚(3)，所述引脚(3)的数量为三个，所述器件主体(1)的另一侧固定有金属板(4)，所述金属板(4)的内部开设有通孔(5)，所述金属板(4)的前后两侧均开设有凹槽(6)，所述引脚(3)的表面活动连接有密封罩(7)，所述密封罩(7)的内侧固定有密封板(8)，所述密封板(8)的两侧均固定有弹片(9)，所述器件主体(1)的两侧均固定有限位块(10)，所述弹片(9)与限位块(10)活动连接，所述均热板(2)的四周均固定有安装块(11)，所述安装块(11)的内部螺纹连接有固定螺丝(12)，所述固定螺丝(12)与器件主体(1)螺纹连接，所述均热板(2)的内部开设有若干散热孔(13)，所述密封罩(7)的内部包括基层(71)、防水层(72)和耐腐蚀层(73)。

2.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述防水层(72)的材质为防水涂料，所述防水层(72)粘接于基层(71)的外侧。

3.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述耐腐蚀层(73)的材质为聚四氟乙烯，所述耐腐蚀层(73)粘接于防水层(72)的外侧。

4.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述密封罩(7)的顶部和底部均固定有贴合垫(14)，所述贴合垫(14)的表面开设有若干防滑纹路。

5.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述弹片(9)的外侧固定有安装板(15)，所述安装板(15)的外侧固定有复位板(16)。

6.根据权利要求1所述的一种沟槽型大功率MOSFET器件，其特征在于：所述均热板(2)的外侧固定有若干散热片(17)，所述散热片(17)的材质为铝合金。