[实用新型]一种沟槽型大功率MOSFET器件

说明书

本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，且公开了一种沟槽型大功率MOSFET器件，包括器件主体和均热板，所述器件主体的一侧固定有若干引脚，所述引脚的数量为三个，所述器件主体的另一侧固定有金属板，所述金属板的内部开设有通孔，所述金属板的前后两侧均开设有凹槽，所述引脚的表面活动连接有密封罩，所述密封罩的内侧固定有密封板，所述密封板的两侧均固定有弹片，所述器件主体的两侧均固定有限位块，所述弹片与限位块活动连接；本实用新型具备可以对器件的引脚进行密封保护，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性的优点，解决了现有的MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。

技术领域

本实用新型涉及MOSFET器件技术领域，具体为一种沟槽型大功率MOSFET器件。

背景技术

随着电子消费产品需求的增长，功率MOSFET的需求越来越大，例如磁盘驱动，汽车电子以及功率器件等等方面。沟槽型MOSFET器件由于其器件的集成度较高，导通电阻较低，具有较低的栅-漏电荷密度、较大的电流容量，因而具备较低的开关损耗和较快的开关速度，被广泛地应用在低压功率领域。

现有的MOSFET器件引脚一般采用金属材质制成，金属材质的化学活性较强，所以MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，引脚受损会造成MOSFET器件的损毁从而无法使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种沟槽型大功率MOSFET器件，具备可以对器件的引脚进行密封保护防止引脚受损，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性的优点，解决了现有的MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种沟槽型大功率MOSFET器件，包括器件主体和均热板，所述器件主体的一侧固定有若干引脚，所述引脚的数量为三个，所述器件主体的另一侧固定有金属板，所述金属板的内部开设有通孔，所述金属板的前后两侧均开设有凹槽，所述引脚的表面活动连接有密封罩，所述密封罩的内侧固定有密封板，所述密封板的两侧均固定有弹片，所述器件主体的两侧均固定有限位块，所述弹片与限位块活动连接，所述均热板的四周均固定有安装块，所述安装块的内部螺纹连接有固定螺丝，所述固定螺丝与器件主体螺纹连接，所述均热板的内部开设有若干散热孔，所述密封罩的内部包括基层、防水层和耐腐蚀层。

优选的，所述防水层的材质为防水涂料，所述防水层粘接于基层的外侧。

优选的，所述耐腐蚀层的材质为聚四氟乙烯，所述耐腐蚀层粘接于防水层的外侧。

优选的，所述密封罩的顶部和底部均固定有贴合垫，所述贴合垫的表面开设有若干防滑纹路。

优选的，所述弹片的外侧固定有安装板，所述安装板的外侧固定有复位板。

优选的，所述均热板的外侧固定有若干散热片，所述散热片的材质为铝合金。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

本实用新型具备可以对器件的引脚进行密封保护防止引脚受损，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性的优点，在对MOSFET器件进行保存时可以防止外界的液体进入，提高了MOSFET器件的存放稳定性，降低了MOSFET器件损坏的风险，解决了现有的MOSFET器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。

附图说明

图1为本实用新型的立体结构示意图；

图2为本实用新型的立体结构示意图；

图3为本实用新型的局部立体结构示意图；

图4为本实用新型图3中A处的局部放大图；

图5为本实用新型中密封罩的层叠示意图。