[实用新型]一种碳化硅功率模块有效

专利信息
申请号: 202221933339.3 申请日: 2022-07-21
公开(公告)号: CN217983319U 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 张焕云 申请(专利权)人: 深圳市思米半导体有限公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/31;H01L23/00;H01L23/10;H01L25/16
代理公司: 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 代理人: 何艳梅
地址: 518000 广东省深圳市宝安区航城街*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 碳化硅 功率 模块
【权利要求书】:

1.一种碳化硅功率模块,其特征在于,包括:绝缘基板、电路层、引脚和塑封层;所述电路层设于所述绝缘基板上,所述引脚设于所述电路层上,所述绝缘基板上设有与所述电路层和引脚间隔设置的连接件,所述绝缘基板、连接件、电路层和引脚嵌入所述塑封层内,所述绝缘基板远离所述电路层的表面穿出所述塑封层,所述引脚远离所述电路层的一端穿出所述塑封层。

2.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述连接件为凸台。

3.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述绝缘基板的侧壁还设有粗糙结构,所述粗糙结构嵌于所述塑封层内。

4.根据权利要求1至3任一项所述的碳化硅功率模块,其特征在于,位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值,高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值;位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值,高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值。

5.根据权利要求4所述的碳化硅功率模块,其特征在于,位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值,至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍;位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值,至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍。

6.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述电路层包括布线层和至少三个电路元件;所述布线层设于所述绝缘基板上,所述电路元件和引脚设于所述布线层上,所述电路元件之间电连接或者所述电路元件与所述布线层电连接;所述布线层和电路元件均嵌入塑封层内。

7.根据权利要求6所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述电路元件包括功率管、肖特基二极管和驱动芯片。

8.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述绝缘基板包括绝缘层和金属基板,所述绝缘层设于所述金属基板上,所述电路层设于所述绝缘层上,所述连接件设于所述金属基板上并沿所述绝缘层的外周设置,所述绝缘层和金属基板均嵌入塑封层内,所述金属基板远离所述绝缘层的表面穿出所述塑封层。

9.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述塑封层为环氧树脂层。

10.根据权利要求9所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述塑封层中含有高导热率材料,所述高导热率材料为角型和/或球型。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市思米半导体有限公司,未经深圳市思米半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221933339.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top