[实用新型]一种碳化硅功率模块有效
申请号: | 202221933339.3 | 申请日: | 2022-07-21 |
公开(公告)号: | CN217983319U | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 张焕云 | 申请(专利权)人: | 深圳市思米半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/31;H01L23/00;H01L23/10;H01L25/16 |
代理公司: | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人: | 何艳梅 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区航城街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 功率 模块 | ||
1.一种碳化硅功率模块,其特征在于,包括:绝缘基板、电路层、引脚和塑封层;所述电路层设于所述绝缘基板上,所述引脚设于所述电路层上,所述绝缘基板上设有与所述电路层和引脚间隔设置的连接件,所述绝缘基板、连接件、电路层和引脚嵌入所述塑封层内,所述绝缘基板远离所述电路层的表面穿出所述塑封层,所述引脚远离所述电路层的一端穿出所述塑封层。
2.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述连接件为凸台。
3.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述绝缘基板的侧壁还设有粗糙结构,所述粗糙结构嵌于所述塑封层内。
4.根据权利要求1至3任一项所述的碳化硅功率模块,其特征在于,位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值,高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值;位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值,高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值。
5.根据权利要求4所述的碳化硅功率模块,其特征在于,位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值,至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍;位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值,至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍。
6.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述电路层包括布线层和至少三个电路元件;所述布线层设于所述绝缘基板上,所述电路元件和引脚设于所述布线层上,所述电路元件之间电连接或者所述电路元件与所述布线层电连接;所述布线层和电路元件均嵌入塑封层内。
7.根据权利要求6所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述电路元件包括功率管、肖特基二极管和驱动芯片。
8.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述绝缘基板包括绝缘层和金属基板,所述绝缘层设于所述金属基板上,所述电路层设于所述绝缘层上,所述连接件设于所述金属基板上并沿所述绝缘层的外周设置,所述绝缘层和金属基板均嵌入塑封层内,所述金属基板远离所述绝缘层的表面穿出所述塑封层。
9.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述塑封层为环氧树脂层。
10.根据权利要求9所述的碳化硅功率模块,其特征在于,所述塑封层中含有高导热率材料,所述高导热率材料为角型和/或球型。
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