[实用新型]一种碳化硅功率模块有效
申请号: | 202221933339.3 | 申请日: | 2022-07-21 |
公开(公告)号: | CN217983319U | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 张焕云 | 申请(专利权)人: | 深圳市思米半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/31;H01L23/00;H01L23/10;H01L25/16 |
代理公司: | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人: | 何艳梅 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区航城街*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 功率 模块 | ||
本申请实施例属于电子器件领域,涉及一种碳化硅功率模块。所述碳化硅功率模块包括:绝缘基板、电路层、引脚和塑封层;所述电路层设于所述绝缘基板上,所述引脚设于所述电路层上,所述绝缘基板上设有与所述电路层和引脚间隔设置的连接件,所述绝缘基板、连接件、电路层和引脚嵌入所述塑封层内,所述绝缘基板远离所述电路层的表面穿出所述塑封层,所述引脚远离所述电路层的一端穿出所述塑封层。本申请中连接件能够增加绝缘基板与塑封层之间的接触面积,进而增强绝缘基板与塑封料之间的粘合力,避免出现分裂;当外部湿气沿着绝缘基板与塑封层之间的分裂缝隙侵入碳化硅功率模块时被连接件抵挡,连接件延长了湿气浸入的路径,进而提高了产品的可靠性。
技术领域
本申请涉及电子器件技术领域,更具体地,涉及一种碳化硅功率模块。
背景技术
功率模块内设置有高压驱动电路和低压驱动电路,通常需要更优的散热效果,为了能更好的散热,功率模块背部金属基板均需要裸漏在外;尤其是功率模块内部采用碳化硅的功率器件时,可工作于更高电压和更高温度环境下,有更高的压差和温变,对材料直接的粘合强度以及防潮性要求也更高。在特殊恶劣的应用环境下,传统的裸漏外基板的模块,基板与塑封层之间易出现粘合强度不足导致分裂的问题,从而导致外部湿气从分裂缝隙通过最短路径进入模块内部,进而导致功率模块失效。
实用新型内容
本申请实施例在于提供一种碳化硅功率模块,用于解决特殊恶劣的应用环境下,裸漏外基板的模块,基板于塑封料之间难免出现粘合强度不足导致分裂的问题。
为了解决上述技术问题,本申请实施例提供一种碳化硅功率模块,采用了如下所述的技术方案:
一种碳化硅功率模块,包括:绝缘基板、电路层、引脚和塑封层;所述电路层设于所述绝缘基板上,所述引脚设于所述电路层上,所述绝缘基板上设有与所述电路层和引脚间隔设置的连接件,所述绝缘基板、连接件、电路层和引脚嵌入所述塑封层内,所述绝缘基板远离所述电路层的表面穿出所述塑封层,所述引脚远离所述电路层的一端穿出所述塑封层。
进一步地,所述连接件为凸台。
进一步地,所述绝缘基板的侧壁还设有粗糙结构,所述粗糙结构嵌于所述塑封层内。
进一步地,位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值,高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值;位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值,高于所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值。
进一步地,位于所述连接件与电路层之间的所述塑封层的绝缘耐压值,至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍;位于所述连接件与引脚之间的所述塑封层的绝缘耐压值,至少为所述碳化硅功率模块的绝缘耐压值的两倍。
进一步地,所述电路层包括布线层和至少三个电路元件;所述布线层设于所述绝缘基板上,所述电路元件和引脚设于所述布线层上,所述电路元件之间电连接或者所述电路元件与所述布线层电连接;所述布线层和电路元件均嵌入塑封层内。
进一步地,所述电路元件包括功率管、肖特基二极管和驱动芯片。
进一步地,所述绝缘基板包括绝缘层和金属基板,所述绝缘层设于所述金属基板上,所述电路层设于所述绝缘层上,所述连接件设于所述金属基板上并沿所述绝缘层的外周设置,所述绝缘层和金属基板均嵌入塑封层内,所述金属基板远离所述绝缘层的表面穿出所述塑封层。
进一步地,所述塑封层为环氧树脂层。
进一步地,所述塑封层中含有高导热率材料,所述高导热率材料为角型和/或球型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市思米半导体有限公司,未经深圳市思米半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221933339.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动照明的防护面罩
- 下一篇:一种带远程控制的水上救援机器人