[实用新型]一种用于气体分配盘的C型件

说明书

本实用新型涉及一种用于气体分配盘的C型件，所述C型件包括C型主体以及设置于所述C型主体的上下两表面之间，且从所述C型主体的内壁面及左右端面露出的C型空腔；所述C型空腔使所述C型主体的内部分别形成腔体内上表面，腔体内下表面及腔体内壁面；所述C型件还包括设置于所述C型主体的上表面的中部，且延伸至所述C型主体的左右端面的C型壁，以及分别位于所述C型壁的壁内一侧及壁外一侧的第一贯通孔及第二贯通孔。通过将所述C型件用于气体分配盘可以稳定气体分配盘内部的气体流动状态，稳定内部气压，实现优异的气体分流效果。

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，涉及一种半导体机台的气体分配盘的部件，具体涉及一种用于气体分配盘的C型件。

背景技术

半导体制造中需要用到化学气相沉积技术(Chemical Vapor Deposition，CVD)，其原理是利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物，进而在衬底上生成薄膜。CVD沉积技术经常涉及多种气相化合物或单质的同时使用，对于气体的用量比例、气压、分流以及混合状态等方面有严格的要求，且在CVD镀膜的过程中，半导体晶圆在气体分配盘的下方，需要保证气体分配盘具有良好的通气性能，同时不会因为CVD沉积而堵塞，从而保证持续稳定的供气，进而使沉积过程更加平稳地运行。

CN201066682Y公开了一种半导体设备的气体分配盘，该气体分配盘包括数个气体注射管，每一气体注射管都具有数个通气孔，其中一个气体注射管安装在气体分配盘的中心位置。与现有技术相比，该实用新型气体分配盘不仅可以有效避免残留聚合物污染晶圆表面，而且使得气体分配盘的中心也可以流通气体，有效清除晶圆表面残留颗粒。

CN113467198A公开了一种半导体设备及半导体结构的制备方法，所述半导体设备包括，对晶圆进行处理的工艺腔室，进气装置，用于向工艺腔室内通入气体以及气体分配盘；所述气体分配盘位于晶圆上方，且位于气体的流动路径上，至少部分气体穿过气体分配盘流向晶圆的表面；该发明通过在所述气体分配盘上设置面积不同的第一到第四通气孔，能够使气体在晶圆表面的流速均匀，使得晶圆表面的温度均匀，减小晶圆表面中心区域和边缘区域的温度差，从而使得光刻形成的图形结构的线宽均匀。

可以看出，通过对气体分配盘的改进，能使CVD的过程更加完善，提升沉积效果，但上述两个技术方案都是针对于对气体分配盘的出气孔进行的结构改进，对于气体分配盘内部的气体分流过程未给出相关的完善方案。

鉴于以上，有必要提供一种新的用于气体分配盘内部气体分流作业的部件，以保障气体分配盘的供气性能。

实用新型内容

鉴于现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种气体分配盘的C型件，所述C型件包括C型主体以及设置于所述C型主体的上下两表面之间，且从所述C型主体的内壁面及左右端面露出的C型空腔；所述C型空腔使所述C型主体的内部分别形成腔体内上表面，腔体内下表面及腔体内壁面；所述C型件还包括设置于所述C型主体的上表面的中部，且延伸至所述C型主体的左右端面的C型壁，以及分别位于所述C型壁的壁内一侧及壁外一侧的第一贯通孔及第二贯通孔。通过将所述C型件用于气体分配盘可以稳定气体分配盘内部的气体流动状态，稳定内部气压，实现优异的气体分流效果。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

第一方面，本实用新型提供了一种气体分配盘的C型件，所述C型件包括C型主体以及设置于所述C型主体的上下两表面之间，且从所述C型主体的内壁面及左右端面露出的C型空腔；所述C型空腔使所述C型主体的内部分别形成腔体内上表面，腔体内下表面及腔体内壁面；

所述C型件还包括设置于所述C型主体的上表面的中部，且延伸至所述C型主体的左右端面的C型壁，以及分别位于所述C型壁的壁内一侧及壁外一侧的第一贯通孔及第二贯通孔。