[实用新型]显示装置有效
申请号: | 202222032688.4 | 申请日: | 2022-08-03 |
公开(公告)号: | CN218274604U | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 金善光;康起宁 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一驱动电压线,在基板上、在第一方向上延伸;
第一公共电压线,在所述基板上、在所述第一方向上延伸;
第二驱动电压线,在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸,并且通过接触孔连接到所述第一驱动电压线;以及
第一中间层,在所述第一公共电压线与所述第二驱动电压线之间的相交区处,
其中,所述第一中间层位于所述第一公共电压线与所述第二驱动电压线之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一中间层具有隔离的形状,并且所述第一中间层的面积大于在所述相交区中所述第一公共电压线与所述第二驱动电压线重叠的重叠区的面积。
3.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
第二公共电压线,在所述第二方向上延伸,并且通过接触孔连接到所述第一公共电压线;以及
第二中间层,在所述第一驱动电压线与所述第二公共电压线之间的相交区处,
其中,所述第二中间层位于所述第一驱动电压线与所述第二公共电压线之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
驱动晶体管,连接到所述第一驱动电压线;以及
存储电容器,连接到所述驱动晶体管;
其中,所述第一公共电压线位于所述基板与所述驱动晶体管的半导体层之间,所述第一中间层与所述驱动晶体管的栅电极位于同一层处,并且所述第二驱动电压线与所述存储电容器的一个电极位于同一层处。
5.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
驱动晶体管,连接到所述第一驱动电压线;以及
存储电容器,连接到所述驱动晶体管;
其中,所述第一公共电压线位于所述基板与所述驱动晶体管的半导体层之间,所述第一中间层与所述驱动晶体管的所述半导体层位于同一层处,并且所述第二驱动电压线与所述存储电容器的一个电极位于同一层处。
6.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
驱动晶体管,连接到所述第一驱动电压线;
存储电容器,连接到所述驱动晶体管;以及
发光二极管,连接到所述驱动晶体管和所述存储电容器;
其中,所述第一公共电压线位于所述基板与所述驱动晶体管的半导体层之间,所述第一中间层与所述存储电容器的一个电极位于同一层处,并且所述第二驱动电压线与所述发光二极管的一个电极位于同一层处。
7.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
驱动晶体管,连接到所述第一驱动电压线;
存储电容器,连接到所述驱动晶体管;以及
发光二极管,连接到所述驱动晶体管和所述存储电容器;
其中,所述第一公共电压线与所述驱动晶体管的栅电极位于同一层处,所述第一中间层与所述存储电容器的一个电极位于同一层处,并且所述第二驱动电压线与所述发光二极管的一个电极位于同一层处。
8.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
驱动晶体管,连接到所述第一驱动电压线;以及
发光二极管,连接到所述驱动晶体管;
其中,所述第一公共电压线位于所述基板与所述驱动晶体管的半导体层之间,所述第一中间层与所述驱动晶体管的所述半导体层位于同一层处,并且所述第二驱动电压线与所述发光二极管的一个电极位于同一层处。
9.根据权利要求1所述的显示装置,进一步包括:
驱动晶体管,连接到所述第一驱动电压线;以及
发光二极管,连接到所述驱动晶体管;
其中,所述第一公共电压线位于所述基板与所述驱动晶体管的半导体层之间,所述第一中间层与所述驱动晶体管的栅电极位于同一层处,并且所述第二驱动电压线与所述发光二极管的一个电极位于同一层处。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置,进一步包括:
感测线,在所述第一公共电压线的一侧、在所述第一方向上延伸;以及
第三中间层,位于所述感测线与所述第二驱动电压线之间的相交区处,
其中,所述第三中间层位于所述感测线与所述第二驱动电压线之间,并且
其中,所述第一中间层与所述第三中间层间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的