[实用新型]显示装置有效
申请号: | 202222032688.4 | 申请日: | 2022-08-03 |
公开(公告)号: | CN218274604U | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 金善光;康起宁 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;宋志强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本实用新型提供了显示装置。该显示装置包括:第一驱动电压线,在基板上、在第一方向上延伸;第一公共电压线,在基板上、在第一方向上延伸;驱动晶体管,连接到第一驱动电压线;存储电容器,连接到驱动晶体管;发光二极管,连接到驱动晶体管和存储电容器;第二驱动电压线,在与第一方向交叉的第二方向上延伸,并且通过接触孔连接到第一驱动电压线;以及第一中间层,在第一公共电压线与第二驱动电压线之间的相交区处。第一中间层位于第一公共电压线与第二驱动电压线之间。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年8月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0115699号的优先权和权益,其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开的一个或多个实施例的方面涉及显示装置。
背景技术
随着根据各种电信号可视地显示图像的显示装置的领域的快速发展,已经引入具有优良特性(诸如轻薄和具有低功耗等)的各种显示装置。
显示装置可以包括使用来自背光单元的光而不自发地发光的液晶显示装置或者包括可以发光的显示元件的发光显示装置。发光显示装置可以包括各自包括发射层的显示元件。
实用新型内容
本公开的一个或多个实施例涉及显示装置,并且更具体地,涉及与发光显示装置有关的结构。
另外的方面和特征将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地可以根据描述显而易见,或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例中的一个或多个而获知。
根据本公开的一个或多个实施例,显示装置包括:第一驱动电压线,在基板上、在第一方向上延伸;第一公共电压线,在基板上、在第一方向上延伸;驱动晶体管,连接到第一驱动电压线;存储电容器,连接到驱动晶体管;发光二极管,连接到驱动晶体管和存储电容器;第二驱动电压线,在与第一方向交叉的第二方向上延伸,并且通过接触孔连接到第一驱动电压线;以及第一中间层,在第一公共电压线与第二驱动电压线之间的相交区处。第一中间层位于第一公共电压线与第二驱动电压线之间。
在一个或多个实施例中,第一中间层可以具有隔离的形状,并且第一中间层的面积可以大于在相交区中第一公共电压线与第二驱动电压线重叠的重叠区的面积。
在一个或多个实施例中,显示装置可以进一步包括:第一绝缘层,在第一公共电压线与第一中间层之间;以及第二绝缘层,在第一中间层与第二驱动电压线之间。
在一个或多个实施例中,显示装置可以进一步包括:第二公共电压线,在第二方向上延伸,并且通过接触孔连接到第一公共电压线;以及第二中间层,在第一驱动电压线与第二公共电压线之间的相交区处。第二中间层可以位于第一驱动电压线与第二公共电压线之间。
在一个或多个实施例中,第一公共电压线可以位于基板与驱动晶体管的半导体层之间,第一中间层可以与驱动晶体管的栅电极位于同一层处,并且第二驱动电压线可以与存储电容器的一个电极位于同一层处。
在一个或多个实施例中,第一公共电压线可以位于基板与驱动晶体管的半导体层之间,第一中间层可以与驱动晶体管的半导体层位于同一层处,并且第二驱动电压线可以与存储电容器的一个电极位于同一层处。
在一个或多个实施例中,第一公共电压线可以位于基板与驱动晶体管的半导体层之间,第一中间层可以与存储电容器的一个电极位于同一层处,并且第二驱动电压线可以与发光二极管的一个电极位于同一层处。
在一个或多个实施例中,第一公共电压线可以与驱动晶体管的栅电极位于同一层处,第一中间层可以与存储电容器的一个电极位于同一层处,并且第二驱动电压线可以与发光二极管的一个电极位于同一层处。
在一个或多个实施例中,第一公共电压线可以位于基板与驱动晶体管的半导体层之间,第一中间层可以与驱动晶体管的半导体层位于同一层处,并且第二驱动电压线可以与发光二极管的一个电极位于同一层处。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的