[实用新型]引线框架、封装结构及电子设备

权利要求书

1.一种引线框架，其特征在于，所述引线框架包括：

至少一个基岛，每个基岛包括用于承载芯片的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，至少一个基岛包括第一基岛，所述第一基岛的第二表面的至少部分外露于封装体的表面以作为散热部件；

至少一个第一类引脚，与所述第一基岛直接连接以作为散热引脚；

多个第二类引脚，其中至少部分第二类引脚与所述第一基岛分离，所述第一类引脚的宽度大于所述第二类引脚的宽度。

2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，每个第一类引脚包括依次连接的根部和延伸部，所述根部与所述第一基岛直接连接，每个所述延伸部连接在至少一个所述根部远离所述第一基岛的一端，每个所述延伸部还至少部分露出所述封装体。

3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，所述第一类引脚的每个延伸部同时连接多个根部中的至少两个，每个根部以预设倾斜角度与所述第一基岛直接连接。

4.根据权利要求3所述的引线框架，其特征在于，还包括至少一连接筋，所述第一类引脚的一延伸部通过该连接筋与第一类引脚的另一延伸部连接。

5.根据权利要求1或2所述的引线框架，其特征在于，所述第一类引脚与和所述第一类引脚位于所述第一基岛的同一侧的第二类引脚之间的距离大于2mm。

6.根据权利要求1或2所述的引线框架，其特征在于，所述第一基岛露出封装体表面的部分与每个引脚的延伸部露出封装体表面的部分之间的距离均大于2mm。

7.根据权利要求1或2所述的引线框架，其特征在于，每个所述第一类引脚的宽度为4mm～5mm。

8.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括如权利要求1～7任一项所述的引线框架。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一控制芯片、第一功率器件以及封装体，所述封装体用于封装所述第一控制芯片、所述第一功率器件以及所述引线框架，所述至少一个基岛包括第一基岛，所述第一控制芯片和所述第一功率器件贴装在所述第一基岛的第一表面上，所述第一基岛的第二表面的至少部分外露于封装体的表面以作为散热部件。

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述第一控制芯片通过打线方式与第一功率器件、第一基岛以及部分的第二类引脚连接，第一功率器件通过打线方式与第一基岛和部分的第二类引脚连接。

11.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一控制芯片、第一功率器件、第二功率器件以及封装体，所述封装体用于封装所述第一控制芯片、所述第一功率器件、所述第二功率器件以及所述引线框架，所述至少一个基岛包括第一基岛和第二基岛，所述第一功率器件和所述第二功率器件贴装在所述第一基岛的第一表面上，所述第一控制芯片贴装在第二基岛的第一表面上，所述第一基岛的第二表面的至少部分外露于封装体的表面以作为散热部件。

12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述第一功率器件通过打线方式与所述第二功率器件和部分的第二类引脚连接，所述第一控制芯片通过打线方式分别与第一功率器件、第二功率器件、第二基岛以及部分的第二类引脚连接。

13.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述第一基岛的面积大于所述第二基岛的面积。

14.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述外露于封装体表面的第一基岛的面积占所述第一基岛的总面积的45％～55％。

15.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述第一控制芯片为IC控制芯片，所述第一功率器件为氮化镓晶体管。