[实用新型]引线框架、封装结构及电子设备有效
申请号: | 202222049628.3 | 申请日: | 2022-08-04 |
公开(公告)号: | CN218123390U | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 李阳德;付晓辉;杨凡 | 申请(专利权)人: | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/495 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 框架 封装 结构 电子设备 | ||
本申请提供一种引线框架、封装结构及电子设备,所述引线框架包括:至少一个基岛,每个基岛包括用于承载芯片的第一表面及与第一表面相对的第二表面,至少一个基岛的第二表面的至少部分外露于封装体表面以作为散热部件;至少一个第一类引脚,其与一基岛直接连接以作为散热引脚;多个第二类引脚,其至少部分第二类引脚与基岛分离,所述第一类引脚的宽度大于所述第二类引脚的宽度。本申请能够大幅度提升整体的散热性能,并能够减少安装在PCB板的尺寸和空间。
技术领域
本申请涉及芯片封装技术领域,尤其涉及一种引线框架、封装结构及电子设备。
背景技术
芯片封装具有安放、固定、密封、保护芯片和增强散热性能作用,可以隔绝外界污染及外力对芯片的破坏。目前封装形式多种多样,例如SOP(Small Outline Package,小尺寸封装)贴片式封装技术、DIP(Dual In-line Package,双列直插式封装)直插式封装技术。
快充芯片的结构大多采用集成电路(IC)+功率器件(例如场效应晶体管MOS或氮化镓晶体管GaN)等方式,但随着快充芯片功率越来越大,整体温升也越来越高,常规的封装(例如SOP、DIP)已不能满足其散热要求,导致封装结构在集成度高的情况下散热困难。
实用新型内容
本申请提供一种引线框架、封装结构及电子设备,用以解决现有技术中封装结构在集成度高的情况下散热困难的问题。
第一方面,一种引线框架,所述引线框架包括:
至少一个基岛,每个基岛包括用于承载芯片的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面,至少一个基岛包括第一基岛,所述第一基岛的第二表面的至少部分外露于封装体的表面以作为散热部件;
至少一个第一类引脚,与所述第一基岛直接连接以作为散热引脚;
多个第二类引脚,其中至少部分第二类引脚与所述第一基岛分离,所述第一类引脚的宽度大于所述第二类引脚的宽度。
在本申请的一实施例中,每个第一类引脚包括依次连接的根部和延伸部,所述根部与所述第一基岛直接连接,每个所述延伸部连接在至少一个所述根部远离所述第一基岛的一端,每个所述延伸部还至少部分露出所述封装体。
在本申请的一实施例中,所述第一类引脚的每个延伸部同时连接多个根部中的至少两个,每个根部以预设倾斜角度与所述第一基岛直接连接。
在本申请的一实施例中,还包括至少一连接筋,所述第一类引脚的一延伸部通过该连接筋与第一类引脚的另一延伸部连接。
在本申请的一实施例中,所述第一类引脚与和所述第一类引脚位于所述第一基岛的同一侧的第二类引脚之间的距离大于2mm。
在本申请的一实施例中,所述第一基岛露出封装体表面的部分与每个引脚的延伸部露出封装体表面的部分之间的距离均大于2mm。
在本申请的一实施例中,每个所述第一类引脚的宽度为4mm~5mm。
第二方面,本申请还提供一种封装结构,所述封装结构包括第一方面所述的引线框架。
在本申请的一实施例中,所述封装结构还包括第一控制芯片、第一功率器件以及封装体,所述封装体用于封装所述第一控制芯片、所述第一功率器件以及所述引线框架,所述至少一个基岛包括第一基岛,所述第一控制芯片和所述第一功率器件贴装在所述第一基岛的第一表面上,所述第一基岛的第二表面的至少部分外露于封装体的表面以作为散热部件。
在本申请的一实施例中,所述第一控制芯片通过打线方式与第一功率器件、第一基岛以及部分的第二类引脚连接,第一功率器件通过打线方式与第一基岛和部分的第二类引脚连接。
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