[实用新型]一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构

说明书

本实用新型属于PVT法生长碳化硅晶体领域，具体涉及一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，包括同心设置的外环架和内环架，所述外环架和所述内环架的夹持区间内环形阵列安装有若干个石墨片，相邻的所述石墨片之间留置有通气槽；挡片机构包括开设缺口的出气挡片和进气挡片，所述出气挡片和所述进气挡片分别贴附所述石墨片的上下表面，两者的中部连接有贯穿所述内环架的转轴，所述出气挡片和所述进气挡片与所述转轴同步转动；通过挡片处的气流方式，使气体的传输方向得到改变，仅通过挡片缺口和通气槽的配合的通道处进行气体的流动，后续通过转轴带动两挡片旋转，使气体沿不同位置上浮，使碳化硅沿着生长点螺旋结晶，提升碳化硅生产速率。

技术领域

本实用新型涉及PVT法生长碳化硅晶体领域，具体涉及一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构。

背景技术

碳化硅晶体生长方法是PVT法，高温状态下使碳化硅固体气化到气态，因为温度差，气态碳化硅会从下向上传输，气态碳化硅被传送到籽晶区域，就会以籽晶的生长点为基础，按照台阶的方式螺旋生长。

现有技术存在以下问题：

采用PVT法进行碳化硅晶体生长时，气体传送方式是从下方原材料加热处向上传送到籽晶区域，属于直接传送，而碳化硅的生长是沿着生长点螺旋方向生长的，气体不能顺着生长方向运动，会对生长速度产生不良影响。

实用新型内容

(一)实用新型目的

为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，具有改进内部气体上升通道结构，改变气流方向的特点。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种引导碳化硅气相气体流向的石墨片结构，包括同心设置的外环架和内环架，所述外环架和所述内环架的夹持区间内环形阵列安装有若干个石墨片，相邻的所述石墨片之间留置有通气槽；

挡片机构包括开设缺口的出气挡片和进气挡片，所述出气挡片和所述进气挡片分别贴附所述石墨片的上下表面，两者的中部连接有贯穿所述内环架的转轴，所述出气挡片和所述进气挡片与所述转轴同步转动。

优选的，所述转轴的另一端连接至伺服电机的输出端。

优选的，所述石墨片的侧壁为“倾斜”机构，通气槽两端开口沿气体流向逐渐缩小。

优选的，所述出气挡片上的缺口与通气槽顶部开口规格相匹配。

优选的，所述进气挡片上的缺口与通气槽底部开口规格相匹配。

优选的，所述外环架上设置有安装机构。

优选的，安装机构包括安装在所述外环架顶部的安装环，所述安装环的外周成型有开设螺孔的栓片。

本实用新型的上述技术方案具有如下有益的技术效果：通过挡片处的气流方式，使气体的传输方向得到改变，仅通过挡片缺口和通气槽的配合的通道处进行气体的流动，后续通过转轴带动两挡片旋转，使气体沿不同位置上浮，使碳化硅沿着生长点螺旋结晶，提升碳化硅生产速率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的环架和挡片分离结构示意图；

图3为本实用新型的石墨片底部结构示意图；

图4为本实用新型的安装机构结构示意图。

附图标记：

1、外环架；2、内环架；3、石墨片；4、转轴；5、出气挡片；6、进气挡片；7、伺服电机；81、安装环；82、栓片。

具体实施方式