[实用新型]一种基准电路有效
申请号: | 202222087949.2 | 申请日: | 2022-08-09 |
公开(公告)号: | CN217821383U | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 李琛;荆二荣;徐德辉 | 申请(专利权)人: | 上海烨映微电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 林丽丽 |
地址: | 201800 上海市嘉定区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基准 电路 | ||
1.一种基准电路,其特征在于,所述基准电路包括:
电压产生模块,用于根据正温度系数电压和负温度系数电压产生基准电压并输出,以及,根据偏置电压调控所述正温度系数电压和所述负温度系数电压;
斩波调制模块,连接所述电压产生模块的正电压端和负电压端,用于根据斩波频率对所述正温度系数电压和所述负温度系数电压进行斩波调制;
放大解调模块,连接所述斩波调制模块的两个输出端,用于对经过斩波调制的正温度系数电压和负温度系数电压进行运放处理后再根据斩波频率进行斩波解调并产生所述偏置电压,以及,根据斩波频率对所述放大解调模块中的放大器噪声进行斩波调制;
陷波滤波模块,连接所述放大解调模块的输出端,用于在斩波频率点对所述放大器噪声进行陷波处理。
2.根据权利要求1所述的基准电路,其特征在于,所述电压产生模块包括:第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第一三极管及第二三极管;所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极连接偏置电压,所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极连接电源电压,所述第一MOS管的漏极连接所述第一电阻的第一端并作为所述电压产生模块的正电压端,所述第二MOS管的漏极连接所述第二电阻的第一端并作为所述电压产生模块的输出端;所述第一电阻的第二端连接所述第一三极管的发射极;所述第二电阻的第二端连接所述第二三极管的发射极并作为所述电压产生模块的负电压端;所述第一三极管的基极与其集电极相连并接地;所述第二三极管的基极与其集电极相连并接地。
3.根据权利要求1所述的基准电路,其特征在于,所述斩波调制模块包括:第一斩波开关、第二斩波开关、第三斩波开关及第四斩波开关;所述第一斩波开关的第一端与所述第三斩波开关的第一端相连并连接所述电压产生模块的正电压端,所述第二斩波开关的第一端与所述第四斩波开关的第一端相连并连接所述电压产生模块的负电压端,所述第一斩波开关的第二端与所述第二斩波开关的第二端相连并作为所述斩波调制模块的第一输出端,所述第三斩波开关的第二端与所述第四斩波开关的第二端相连并作为所述斩波调制模块的第二输出端;其中,所述第一斩波开关和所述第四斩波开关受控于第一时钟,所述第二斩波开关和所述第三斩波开关受控于第二时钟,所述第一时钟和所述第二时钟互为一组反相时钟。
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